[发明专利]一种检测化学气相沉积薄膜小微粒的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种检测化学气相沉积薄膜小微粒的方法。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积方法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）是制备薄膜材料的几种方法中技术最为成熟、操作较为简单的一种，并且可以制备均匀性高的大面积薄膜。现有技术中，PECVD方法制备的薄膜通常会含有小的微粒，这些小微粒不能够被良率改善表面扫描工具检测到，并且小微粒会影响晶圆的良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种检测化学气相沉积薄膜小微粒的方法，能够检测到PECVD薄膜的小微粒，降低废料风险。

为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案实现：一种检测化学气相淀积薄膜小微粒的方法，其特征在于，至少包含以下步骤：

步骤1、准备晶圆基材；

步骤2、在晶圆基材上沉积金属；

步骤3、在沉积金属上沉积化学气相淀积薄膜；

步骤4、开始刻蚀过程；

步骤5、利用表面扫描工具扫描化学气相淀积薄膜的缺陷。

上述的步骤1中的晶圆基材为氧化物。

上述的步骤2中沉积的金属为铝。

上述的步骤4还包含以下步骤：

步骤4.1、将化学气相淀积薄膜刻蚀掉，仅剩下不易检测的小颗粒；

步骤4.2、进行金属刻蚀。

本发明与现有技术相比具有以下优点：由于晶圆基材为氧化物，便于金属基材更好的粘附于硅基材；由于沉积一层铝，方便监测薄膜的小微粒。

附图说明

图1为本发明一种检测化学气相淀积薄膜小微粒的方法的流程图。

具体实施方式

以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本发明做进一步阐述。

如图1所示，一种检测化学气相淀积薄膜小微粒的方法，其特征在于，至少包含以下步骤： 

步骤1、准备晶圆基材，晶圆基材为氧化物，能够提高金属基材和硅基材之间的附着力；

步骤2、在晶圆基材上沉积金属，沉积的金属主要为铝；

步骤3、在沉积金属上沉积化学气相淀积薄膜，此薄膜上有小的微粒；

步骤4、开始刻蚀过程；

步骤4.1、将化学气相淀积薄膜刻蚀掉，仅剩下不易检测的小颗粒；

步骤4.2、金属刻蚀，通入CL2/CHF3/N2，在压力为12mTorr的等离子体环境下进行干法刻蚀，晶圆的温度控制在40度，由于不同的刻蚀过程在化学气相沉积薄膜和金属层之间具有选择性，采用铝会容易监测出来，这样有缺陷的地方就有铝存在。

步骤5、利用表面扫描工具扫描化学气相淀积薄膜的缺陷，可以检测到0.1um左右的小颗粒。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。