[发明专利]一种数据存储的方法、存储器及电子设备

说明书

本发明涉及计算机技术领域，公开了一种数据存储方法、存储器及电子设备，以解决现有技术中存储器读写电路复杂的技术问题，该方法应用于一存储器，存储器具有N个物理页，其中，N个物理页中的第i个物理页与N个不完全相同的编码错误率中的第i个编码错误率相对应，其中，i为1至N间任一整数，其特征在于，该方法包括：确定M个逻辑页；将M个逻辑页中的第i个逻辑页划分为N部分第i个逻辑页数据，i为1至M的任一整数；对N部分第i个逻辑页数据进行处理，输出与第i个逻辑页对应的第i个纠错编码和N部分第i个逻辑页数据；将N部分第i个逻辑页数据依次存储于N个物理页，并将第i个纠错编码存储于N个物理页中的第N个物理页。

技术领域

本发明涉及计算机技术领域，特别涉及一种数据存储的方法、存储器及电子设备。

背景技术

随着电子技术的快速发展，电子设备的存储介质也越来越多，例如：SLC(Single-Level Cell)，也即：1bit/cell，其一个存储器存储存单元(cell)存储一位元(bit)的数据；MLC(Multi-Level Cell)，也即：2bit/cell，其一个存储器存储存单元(cell)存储二位元(bit)的数据；TLC(Triple-Level Cell)，也即：3bit/cell，其一个存储器存储存单元(cell)存储三位元(bit)的数据等等。

在TLC-3NAND Flash中，由于物理电压的分布和二进制编码的特定对应关系，使得MSB(Most Significant Bit：最高有效位)、CSB(Center Significant Bit：中间有效位)、LSB(Least Significant bit:最低有效位)物理页具有不同的电压覆盖范围，其上的比特错误率也会不同，如表1所示，为现有技术中逻辑页在物理页中的存储位置：

表1

存储位置	逻辑页数据
MSB	a1,a2,a3,a4,a5,a6…a(N-2),a(N-1),a(N-0)
CSB	b1,b2,b3,b4,b5,b6…b(N-2),b(N-1),b(N-0)
LSB	c1,c2,c3,c4,c5,c6,…c(N-2),c(N-1),c(N-0)

由表1可以看出，现有技术中不同的物理页会存储不同的逻辑页数据，而通常情况下，MSB物理页组的错误率最高，如果按照逻辑页和物理页一一对应的方式进行存储，那么将导致存储在MSB物理页上的逻辑页的错误率较高，进而导致数据保持时间较短，先于另外两个逻辑页接近纠错码(ECC)的报警门限，触发数据刷新算法启动数据拷贝，造成额外的写放大。

现有技术中，为了解决上述问题，可以采用如下方案：