[发明专利]一种三维芯片堆栈结构

权利要求书

1.一种三维芯片堆栈结构，包括有多层芯片层，其特征在于，每层芯片层在顶侧设置多个单层导体，每个单层导体上设置测试垫，其中，在每层芯片层中，相邻单层导体在结构上沿芯片层纵向以预定距离偏移后呈镜像对称，相邻测试垫沿该芯片层纵向相隔预定距离，每层芯片层的多个单层导体的排列是相对于相邻芯片层的多个单层导体的排列偏移该预定距离，且两层相邻芯片层中，在上芯片层的至少一个单层导体经由第一硅通孔连通到在下芯片层的对应单层导体，该第一硅通孔是沿芯片层高度方向垂直延伸。

2.如权利要求1所述的三维芯片堆栈结构，其特征在于，每个单层导体包含具有夹角的垫分支与非垫分支，该测试垫位于该垫分支上，两层相邻芯片层中，在上芯片层的至少一个单层导体通过该非垫分支经由该第一硅通孔垂直地连通到在下芯片层的对应单层导体。

3.如权利要求2所述的三维芯片堆栈结构，其特征在于，该多个单层导体为L型单层导体。

4.如权利要求1所述的三维芯片堆栈结构，其特征在于，该单层导体材料为铜。

5.如权利要求1所述的三维芯片堆栈结构，其特征在于，每个单层导体连接一个区别电路，当任一层芯片层中的其中一个区别电路接受较高电压，其余区别电路维持在较低电压。

6.如权利要求5所述的三维芯片堆栈结构，其特征在于，每个区别电路包括连接第一N型金氧半场效晶体管汲极端的输入端、以及连接锁定控制电路的输出端，该第一N型金氧半场效晶体管的闸极端与源极端分别连接重置信号源与接地面，该锁定控制电路包含第一反相器、第二反相器、第二N型金氧半场效晶体管及第三N型金氧半场效晶体管，该区别电路的该输出端分别连接该第一反相器的输入端与该第二N型金氧半场效晶体管的源极端，该第一反相器的输出端分别连接该第二N型金氧半场效晶体管的闸极端与该第二反相器的输入端，该第二反相器的输出端连接该第三N型金氧半场效晶体管的闸极端，该第二N型金氧半场效晶体管的汲极端连接该第三N型金氧半场效晶体管的源极端，该第三N型金氧半场效晶体管的汲极端连接该接地面，并且在相同芯片层中，所有控制电路的该第三N型金氧半场效晶体管的源极端经由连接导线相连接。

7.如权利要求1所述的三维芯片堆栈结构，其特征在于，每层芯片层中只有最左或最右方的单层导体连接选择电路，用以控制特定芯片层的选择。

8.如权利要求1所述的三维芯片堆栈结构，其特征在于，该等测试垫为方形。

9.如权利要求1所述的三维芯片堆栈结构，其特征在于，该等测试垫为铝。