[发明专利]多裸晶、高电流晶圆级封装

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在半导体晶圆上形成支柱，所述支柱从所述半导体晶圆延伸至所述半导体晶圆上方的第一高度处；

将集成电路芯片装置连接至所述半导体晶圆，所述集成电路芯片装置从所述半导体晶圆延伸至所述半导体晶圆上方的第二高度处；

附在所述半导体晶圆上形成封装结构，所述封装结构至少大体上封装所述支柱；以及

将至少一个焊接触点施加至所述支柱，所述至少一个焊接触点位于所述半导体晶圆上方的第三高度处，

其中所述第二高度小于所述第一高度和所述第三高度中的至少一个，

其中在所述半导体晶圆上形成所述支柱的步骤包括：

将覆盖籽晶层沉积在所述半导体晶圆上；

将第一光阻层施加附在所述半导体晶圆上；

对所述第一光阻层图样化并蚀刻以形成蚀刻区域；

将导电材料沉积在所述蚀刻区域中以形成所述支柱的第一层；

至少大体上去除所述第一光阻层；

将第二光阻层施加附在所述半导体晶圆上；

对所述第二光阻层图样化并蚀刻以形成所述第二光阻层的蚀刻区域；

将导电材料沉积在所述第二光阻层的蚀刻区域中以形成所述支柱的第二层；

至少大体上去除所述第二光阻层；以及

对所述覆盖籽晶层蚀刻。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述封装结构还包括将环氧树脂材料沉积附在所述半导体晶圆上，所述封装结构至少部分地封装所述支柱和所述集成电路芯片装置。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将集成电路芯片装置连接至所述半导体晶圆的步骤还包括：

对所述集成电路芯片装置施加底部填料。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在将所述至少一个焊接触点施加至所述支柱之前，对所述封装结构研磨以使所述支柱暴露。