[发明专利]一种低失调的预放大锁存比较器

权利要求书

1.一种低失调的预放大锁存比较器，包括基础预放大锁存比较器（1）、失调补偿对管（2）、失调校准开关（3）和失调校准控制电路（4），所述基础预放大锁存比较器（1）包括第一级的预放大器、第二级的锁存器，其特征在于：所述失调补偿对管（2）包括失调调整管，所述失调调整管并联在预放大器的输出端，作为比较器失调补偿的载体，通过改变失调调整管的差分栅压来补偿比较器的失调电压；所述失调校准开关（3）作为失调校准控制电路（4）是否进行失调校准操作的使能开关；所述失调校准控制电路（4）采用双向移位寄存器，用于存储失调信息并调整失调调整管的栅压以补偿比较器的失调。

2.根据权利要求1所述的低失调的预放大锁存比较器，其特征在于：所述失调校准控制电路（4）包括失调补偿对管偏置电路（4.1）、偏置调整电路（4.2）、偏置调整选通开关（4.3）和偏置调整控制模块（4.4）；所述失调补偿对管偏置电路（4.1）用于将电流源产生的电流转化为偏置电压；所述偏置调整电路（4.2）用于产生调整电流，通过失调补偿对管偏置电路（4.1）调整失调补偿对管（2）的栅压；所述偏置调整选通开关（4.3）用于将偏置调整电路（4.2）产生的调整电流源选通至失调补偿对管偏置电路（4.1）进行偏置；所述偏置调整控制模块（4.4）主要由双向移位寄存器构成，对偏置调整电路（4.2）的电流源开关进行控制。

3.根据权利要求2所述的低失调的预放大锁存比较器，其特征在于：所述失调补偿对管偏置电路（4.1）主要由第二十PMOS管M20、二十一PMOS管M21、第二十二PMOS管M22、第二十五NMOS管M25和第二十六NMOS管M26构成；第二十PMOS管M20与第二十一PMOS管M21和第二十二PMOS管M22构成电流镜；第二十五NMOS管M25和第二十六NMOS管M26连接成二极管形式作为MOS管电阻，将由电流源镜像而来的电流I_r1叠加上由失调调整电路（4.2）产生的补偿电流I_CL/I_CR转化为失调补偿对管（2）的偏置电压V_{cal_L}/V_{cal_R}。

4.根据权利要求3所述的低失调的预放大锁存比较器，其特征在于：所述偏置调整电路（4.2）包括一组并联的调整电流源，每个调整电流源串联一个电流源开关；每个调整电流源为一个PMOS管，每个电流源开关为一个PMOS管；所述第二十PMOS管M20与调整电流源构成电流镜。

5.根据权利要求4所述的低失调的预放大锁存比较器，其特征在于：所述偏置调整选通开关（4.3）包括选通开关控制电路和选通开关主体；所述选通开关控制电路包括第一SR触发器SR1、第二RS触发器SR2、第一反相器N1、第五十一NMOS管M51和第五十二NMOS管M52，第一SR触发器SR1由第一或非门NOR1和第二或非门NOR2组成，第二RS触发器SR2由第三或非门NOR3和第四或非门NOR4组成；所述选通开关主体包括一个二选一数据选择器，所述数据选择器主要由第五十三NMOS管M53和第五十五NMOS管M55构成，在数据选择器中串联第五十四NMOS管M54和第五十六NMOS管M56，所述第五十四NMOS管M54和第五十六NMOS管M56作为数据选择器的复位端。

6.根据权利要求5所述的低失调的预放大锁存比较器，其特征在于：所述偏置调整控制模块（4.4）中，双向移位寄存器的数目与偏置调整电路（4.2）中电流源开关的个数相等，每个双向移位寄存器控制一个电流源开关，双向移位寄存器的输出信号接入电流源开关的栅极；所述双向移位寄存器主要由二选一数据选择器和边缘D触发器构成，通过偏置调整选通开关（4.3）CONT输出控制的第一传输门TG1和第二传输门TG2选通二选一数据选择器的控制信号。