[发明专利]信号路径和制造多重图案化的半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

信号导体层，具有由第一掩膜限定的第一信号迹线组和由第二掩膜限定的第二信号迹线组，

所述第一信号迹线组具有第一质量特性，并且所述第二信号迹线组具有第二质量特性；

第一信号路径，包括：

第一信号迹线段，来自具有第一长度的所述第一信号迹线组；

第二信号迹线段，来自具有第二长度的所述第二信号迹线组；

第三信号迹线段，来自具有所述第一长度的所述第一信号迹线组；

第一再供电块，适于将所述第一信号路径从所述第一信号迹线段转移到所述第二信号迹线段；

第二再供电块，适于将所述第一信号路径从所述第二信号迹线段转移到所述第三信号迹线段；并且

当所述第一质量特性大于所述第二质量特性时，所述第一信号迹线段比所述第二信号迹线段更长，当所述第二质量特性大于所述第一质量特性时，所述第二信号迹线段比所述第一信号迹线段更长，并且当所述第一质量特性与所述第二质量特性基本上相等时，所述第一信号迹线段长度和所述第二信号迹线段长度不受约束。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第二信号路径，所述第二信号路径包括：

第四信号迹线段，来自具有所述第二长度的所述第二信号迹线组；

第五信号迹线段，来自具有所述第一长度的所述第一信号迹线组；

第六信号迹线段，来自具有所述第二长度的所述第二信号迹线组；

第三再供电块，适于将所述第二信号路径从所述第四信号迹线段转移到所述第五信号迹线段；

第四再供电块，适于将所述第二信号路径从所述第五信号迹线段转移到所述第六信号迹线段；并且

当所述第二质量特性大于所述第一质量特性时，所述第四信号迹线段比所述第五信号迹线段更长，当所述第一质量特性大于所述第二质量特性时，所述第五信号迹线段比所述第四信号迹线段更长，并且当所述第二质量特性与所述第一质量特性基本上相等时，所述第四信号迹线段长度和所述第五信号迹线段长度不受约束。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一信号路径和所述第二信号路径适于实现定时公差标准，所述定时公差标准包括在将第一信号运送一定距离的所述第一信号路径和将第二信号运送所述一定距离的所述第二信号路径之间的时间量的差值。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述质量特性包括宽度值，并且其中所述宽度值是对槽的测量结果。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一再供电块和所述第二再供电块中的至少一个包括用于对信号再供电的缓冲器电路。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一再供电块和所述第二再供电块中的至少一个不包括用于对信号再供电的缓冲器电路。

7.一种半导体器件，包括：

信号导体层，具有由第一掩膜限定的第一信号迹线组以及由第二掩膜限定的第二信号迹线组，

所述第一信号迹线组具有第一质量特性，并且所述第二信号迹线组具有第二质量特性；

第一信号路径，包括：

多个可选择的有第一强度的再供电块以及多个可选择的有第二强度的再供电块，所述第一强度大于所述第二强度；

来自所述第一信号迹线组的第一信号迹线段、第二信号迹线段和第三信号迹线段；

第一再供电块，适于将所述第一信号路径从所述第一信号迹线段转移到所述第二信号迹线段；

第二再供电块，适于将所述第一信号路径从所述第二信号迹线段转移到所述第三信号迹线段；

当所述第二质量特性大于所述第一质量特性时，选择所述第一再供电块和所述第二再供电块有所述第一强度，当所述第一质量特性大于所述第二质量特性时，选择所述第一再供电块和所述第二再供电块有所述第二强度，并且当所述第二质量特性与所述第一质量特性基本上相等时，选择所述第一再供电块有所述第一强度并且所述第二再供电块有所述第二强度。