[发明专利]一种耐冲击硅梁MEMS复合开关有效
| 申请号： | 201410000459.1 | 申请日： | 2014-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN103745890A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 梅迪 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 冲击 mems 复合 开关 | ||
【权利要求书】：
1.一种耐冲击硅梁MEMS复合开关，其特征在于，该MEMS复合开关包括玻璃承载片和位于玻璃承载片上的两个完全相同但驱动方向相反的硅梁。
2.根据权利要求1所述的耐冲击硅梁MEMS复合开关，其特征在于，所述两个硅梁具有相同的谐振频率和模态等特性，且相互平行。
3.根据权利要求1所述的耐冲击硅梁MEMS复合开关，其特征在于，两硅梁之间设置一个公共接触块。
4.根据权利要求1所述的耐冲击硅梁MEMS复合开关，其特征在于，所述玻璃承载片上设置有驱动电压偏置线和介质层。
5.根据权利要求1所述的耐冲击硅梁MEMS复合开关，其特征在于，所述硅片包括结构层和锚区，结构层包括微波地、微波端口、驱动电极和驱动电压输入端。
6.根据权利要求4所述的耐冲击硅梁MEMS复合开关，其特征在于，所述硅梁与驱动电极之间由成“由”字形的阻挡块隔离，阻挡块包括阻挡块锚区和由阻挡块锚区伸出来的阻挡触点。
7.根据权利要求4所述的耐冲击硅梁MEMS复合开关，其特征在于，结构层采用低微波损耗的高阻材料，结构层各个部分经干法刻蚀工艺刻蚀透。
8.根据权利要求4所述的耐冲击硅梁MEMS复合开关，其特征在于，锚区尺寸在DRIE释放结构层尺寸上向内缩进。
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