[发明专利]变品质因数和变波长高灵敏度微观探测装置

权利要求书

1.一种变品质因数和变波长高灵敏度微观探测装置，其特征在于，包括第一激光器（1）、电光调制器（2）、第一分光器（3）、微腔左壁（4）、波导（5）、第一反射器（6）、第二激光器（7）、微腔右壁（8）、输出耦合器（9）、第二分光器（10）、第一探测器（11）、数据处理器（12）、第二探测器（13）、第二反射器（14）和第三反射器（15）；所述电光调制器（2）介于第一激光器（1）和第一分光器（3）之间，所述第一分光器（3）位于微腔左壁（4）前，所述波导（5）置于微腔左壁（4）和微腔右壁（8）中间，所述第二激光器（7）位于第一反射器（6）之后，所述输出耦合器（9）紧靠波导（5），所述第二分光器（10）位于输出耦合器（9）之后，第二反射器（14）之前以及第一探测器（11）之侧，所述第二反射器（14）置于第二分光器（10）和第二探测器（13）之间，所述第三反射器（15）置于第一分光器（3）和第二探测器（13）之间，所述数据处理器（12）连接第一探测器（11）和第二探测器（13）。

2.根据权利要求1所述的变品质因数和变波长高灵敏度微观探测装置，其特征在于，所述第一激光器（1）和第二激光器（7）为可变波长的半导体固体激光，光纤激光，气体激光，准分子激光，染料液体激光或激光二极管。

3.根据权利要求1所述的变品质因数和变波长高灵敏度微观探测装置，其特征在于，所述电光调制器（2）为相位控制器、分布耦合器、折射率分布控制器、电光光栅控制器、分支干涉调制器、行进波型光调制器或平衡型桥型光调制器。

4.根据权利要求1所述的变品质因数和变波长高灵敏度微观探测装置，其特征在于，所述第一分光器（3）和第二分光器（10）为平面镀膜光学元件、波导支叉元件或光纤分束元件。

5.根据权利要求1所述的变品质因数和变波长高灵敏度微观探测装置，其特征在于，所述微腔左壁（4）和微腔右壁（8）组成的微腔为法布里-珀罗干涉仪、半导体量子阱、平凹腔或双凹腔。

6.根据权利要求1所述的变品质因数和变波长高灵敏度微观探测装置，其特征在于，所述波导（5）为半导体材料、玻璃或有机材料，横截面形状为圆形、方形、梯形或多边形的长条元件。

7.根据权利要求1所述的变品质因数和变波长高灵敏度微观探测装置，其特征在于，所述第一反射器（6）、第二反射器（14）和第三反射器（15）为镀膜平面光学元件、波导元件或反射光栅。

8.根据权利要求1所述的变品质因数和变波长高灵敏度微观探测装置，其特征在于，所述输出耦合器（9）为光栅、棱镜、波导或光纤。

9.根据权利要求1所述的变品质因数和变波长高灵敏度微观探测装置，其特征在于，所述第一探测器（11）和第二探测器（13）为光电二极管、二极管列阵探测器、光电倍增管或多通道板。

10.根据权利要求1所述的变品质因数和变波长高灵敏度微观探测装置，其特征在于，所述数据处理器（12）为光谱仪、示波器或计算机。