[发明专利]岛蚀刻的过滤通道

权利要求书

1.一种方法，包括：

在衬底上形成蚀刻岛；以及

将具有蚀刻岛的所述衬底暴露至与所述蚀刻岛反应的溶液，以在所述衬底中形成互连 孔隙的过滤通道，所述过滤通道具有进入所述衬底的入口和离开所述衬底的出口。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述入口在所述衬底的第一面上，并且所述出口在 所述衬底的第二面上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一面和所述第二面平行。

4.根据权利要求2所述的方法，其中形成蚀刻岛包括：在所述第一面上形成第一蚀刻岛 和在所述第二面上形成第二蚀刻岛。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述第一面上的所述第一蚀刻岛和在所述第二 面上的所述第二蚀刻岛响应于暴露至所述溶液而同时反应，以分别从所述第一面和所述第 二面同时蚀刻到所述衬底内。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述衬底中形成沟槽以使所述第一过滤 通道和所述第二过滤通道互连。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述入口在所述衬底的第一面上，并且所述出口在 所述衬底的第二面上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻岛沿着所述第一过滤通道和所述第二过 滤通道中的至少一个保留在所述衬底内。

9.根据权利要求1所述的方法，网状岛包括在所述溶液中具有第一蚀刻特性的第一金 属的第一岛和在所述溶液中具有与所述第一蚀刻特性不同的第二蚀刻特性的第二金属的 第二岛。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述衬底内形成蚀刻控制器，所述蚀刻 控制器在与所述衬底内的所述蚀刻岛交互时调节所述蚀刻岛的蚀刻速率。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述蚀刻控制器包括蚀刻阻滞剂。

12.一种方法，包括：

检测被蚀刻到衬底内的金属岛的组分；以及

基于检测到的组分识别所述衬底的来源。

13.一种装置，包括：

衬底；

延伸到所述衬底内的互连孔隙的第一过滤通道；

延伸到所述衬底内的互连孔隙的第二过滤通道，所述第二过滤通道与所述第一过滤通 道连通；

沿着所述衬底内的所述第一过滤通道和所述第二过滤通道中的至少一个的金属岛。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述第一过滤通道和所述第二过滤通道分别从 所述衬底的第一面和第二面延伸到所述衬底内。

15.根据权利要求14所述的装置，进一步包括：从所述第二面延伸到所述衬底内并连接 至所述第一过滤通道的互连孔隙的第三过滤通道。