[发明专利]多层降频转换封装膜及包括其的电子器件有效
申请号: | 201380080606.4 | 申请日: | 2013-11-04 |
公开(公告)号: | CN105684161B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | J·A·诺姆维兹;陈红宇;Y·黄;A·Y·张;Z·徐 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/055;B32B27/08;B32B27/18;B32B27/32;C09K11/02;C09K11/06 |
代理公司: | 北京坤瑞律师事务所 11494 | 代理人: | 吴培善;王国祥 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 转换 封装 包括 电子器件 | ||
1.一种正面封装膜,其包含:
(a)第一层,所述第一层包含封装树脂;以及
(b)第二层,所述第二层包含封装树脂和至少一种稀土有机金属络合物;
其中所述第一层和第二层中的封装树脂彼此不同,所述封装树脂选自EVA和乙烯/α-烯烃共聚物。
2.根据权利要求1所述的膜,其中所述稀土有机金属络合物以至少0.0001wt%的量存在。
3.一种电子器件,其包含:
正面封装膜,其包含
第一层,所述第一层包含至少一种封装树脂,以及
第二层,所述第二层包含至少一种封装树脂和至少一种稀土有机金属络合物,以所述正面封装膜的总重量计,所述稀土有机金属络合物呈至少0.0001wt%的量;以及
至少一种光伏电池;
其中所述第一层和第二层中的封装树脂彼此不同,所述封装树脂选自EVA和乙烯/α-烯烃共聚物。
4.根据权利要求3所述的电子器件,其包含与类似电子器件相比大于0.05%的绝对模块效率提高,所述类似电子器件除了不包括稀土有机金属络合物之外与所述电子器件相同。
5.根据权利要求3所述的电子器件,其包含与类似电子器件相比至少0.1%的绝对模块效率提高,所述类似电子器件除了不包括稀土有机金属络合物之外与所述电子器件相同。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的膜或电子器件,其中以所述封装膜的总重量计,所述稀土有机金属络合物以0.01wt%至2wt%的量存在。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的膜或电子器件,其中所述第二层的所述封装树脂为乙烯/α-烯烃共聚物。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的膜或电子器件,其中所述第二层的所述封装树脂为硅烷接枝的聚烯烃。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的膜或电子器件,其还包含第三层,所述第三层包含封装树脂。
10.根据权利要求9所述的膜或电子器件,其中所述第三层还包含至少一种稀土有机金属络合物。
11.根据权利要求10所述的膜或电子器件,其中存在于所述封装膜中的稀土有机金属络合物的总量为至少0.0001wt%。
12.根据权利要求1至5中任一项所述的膜或电子器件,其中所述第二层包括至少两种稀土有机金属络合物。
13.根据权利要求1至5中任一项所述的膜或电子器件,其中所述稀土有机金属络合物吸收波长为200nm至550nm的UV光。
14.根据权利要求1至5中任一项所述的膜或电子器件,其中所述稀土有机金属络合物发出波长为400nm至1,200nm的光。
15.根据权利要求1至5中任一项所述的膜或电子器件,其中所述至少一种稀土有机金属络合物为基于Eu、Tb或Sm的络合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的