[发明专利]能够使用光学的和电容的方法感测指纹的指纹识别传感器有效
申请号: | 201380079637.8 | 申请日: | 2013-10-31 |
公开(公告)号: | CN105556538B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 金基中;许智镐;洪奉烨 | 申请(专利权)人: | 硅显示技术有限公司 |
主分类号: | G06K9/00 | 分类号: | G06K9/00;G06K9/20;G01R27/26 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;许向彤 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 能够 使用 光学 电容 方法 指纹 指纹识别 传感器 | ||
1.一种指纹识别传感器,所述传感器能够使用光学的和电容的方法感测指纹,所述传感器包括:
电容式指纹感测单元,其包括晶体管T2,在所述晶体管T2中的流动电流根据能够感测人类指纹的指纹感测电极的输出电压而变化;以及
光学指纹感测单元,由于存在或不存在指纹造成的光和影所产生的光电二极管的反向电流的差异,所述光学指纹感测单元改变所述晶体管T2中的流动电流。
2.根据权利要求1所述的指纹识别传感器,其中,所述电容式指纹感测单元包括:
指纹感测电极,所述指纹感测电极检测所述人类手指;
第一晶体管T1,被配置成使得在栅电极上施加栅极信号电压,并且源电极连接至数据线;以及
二极管晶体管,被配置成使得栅电极和漏电极连接至所述指纹感测电极,并且在源电极上施加输出信号。
3.根据权利要求2所述的指纹识别传感器,其中,所述晶体管T2被配置成使得栅电极连接至所述指纹感测电极,以及所述二极管晶体管的栅电极和漏电极,源电极连接至所述第一晶体管T1的漏电极,并且漏电极连接至像素中的电源电压或偏压线,并且
其中,所述二极管晶体管被配置成包括二极管和耦合电容器C1,所述耦合电容器C1连接至所述二极管的阳极和阴极。
4.根据权利要求3所述的指纹识别传感器,其中,所述光学指纹感测单元包括:
光电二极管,被配置成使得阳极连接至像素中的电源电压或偏压线;
第五晶体管T5,被配置成使得在栅电极上施加所述光电二极管的控制信号,源电极连接至所述晶体管的栅电极,并且漏电极连接至所述光电二极管的阴极;以及
光电二极管电容器C2,连接至所述光电二极管的阳极和阴极。
5.根据权利要求1所述的指纹识别传感器,其中所述电容式指纹感测单元包括:
指纹感测电极,所述指纹感测电极检测所述人类指纹;
第一晶体管T1,被配置成使得在栅电极上施加栅极信号电压,并且源电极连接至数据线;以及
二极管晶体管,被配置成使得栅电极和漏电极连接至所述指纹感测电极,并且在源电极上施加输入信号。
6.根据权利要求5所述的指纹识别传感器,其中所述晶体管T2被配置成使得栅电极连接至所述指纹感测电极,以及所述二极管晶体管的栅电极和漏电极,并且漏电极连接至像素中的电源电压,
其中,所述二极管晶体管被配置成包括二极管和耦合电容器C1,所述耦合电容器C1连接至所述二极管的阳极和阴极,并且
其中,所述电容式指纹感测单元进一步包括:第三晶体管T3,被配置成使得栅电极连接至所述第二晶体管T2的源电极,源电极连接至所述第一晶体管T1的漏电极,并且漏电极连接至所述像素中的电源电压;以及第四晶体管T4,被配置成使得在栅电极上施加栅极信号电压,在源电极上施加输入信号,并且漏电极连接至第二晶体管T2的源电极和第三晶体管T3的栅电极。
7.根据权利要求6所述的指纹识别传感器,其中,所述光学指纹感测单元包括:
光电二极管,被配置成使得阳极连接至像素中的电源电压或偏压线;
第五晶体管T5,被配置成使得在栅电极上施加所述光电二极管的控制信号,源电极连接至所述第三晶体管T3的栅电极,并且漏电极连接至所述光电二极管的阴极;以及
光电二极管电容器C2,连接至所述光电二极管的阳极和阴极。
8.根据权利要求4所述的指纹识别传感器,其中,所述第一晶体管T1、所述晶体管T2、所述二极管晶体管和所述第五晶体管T5的每个的有源层由非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的至少一种制成。
9.根据权利要求7所述的指纹识别传感器,其中,所述第一晶体管T1、所述晶体管T2、所述二极管晶体管和所述第五晶体管T5的每个的有源层由非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的至少一种制成。
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