[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置(52)，其构造为，半导体元件(4)由模塑树脂(1)封装，

在该半导体装置中，具有：

散热件(3)，在该散热件的表面之上载置所述半导体元件；以及

绝缘片部(20)，其形成于所述散热件的背面之上，

所述绝缘片部，

呈现为金属层(20b)和与所述模塑树脂相比热传导率较大的绝缘层(20a)的层叠构造，所述绝缘层密接于所述散热件的背面之上，

所述散热件在背面的外周端部具有通过R倒角加工或者C倒角加工而得到的倒角部(9、29)，

所述绝缘片部(20～22)具有：主体部(20m～22m)，其沿所述散热件的背面构成同一平面；以及弯曲部(20x～22x)，其是表面区域从所述主体部起弯曲而形成的，与所述倒角部密接，

除所述主体部处的所述金属层的背面以外，所述模塑树脂将所述半导体元件、所述散热件以及所述绝缘片部封装，

所述绝缘片部是以前端部相对于所述散热件伸出而形成的。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘片部形成为，连同所述弯曲部在内，膜厚是均匀的。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述散热件具有0.5mm～5mm的厚度，

关于所述倒角部，在R倒角加工的情况下，半径R被设定为大于或等于100μm，在C倒角加工的情况下，倒角长度C被设定为大于或等于100μm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述弯曲部以所述绝缘层不产生裂纹的范围的角度弯曲。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述倒角部是通过R倒角加工而得到的，所述弯曲部相对于所述主体部以10～15°的范围弯曲。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述倒角部是通过C倒角加工而得到的，所述弯曲部相对于所述主体部以45°的角度弯曲。

7.一种半导体装置的制造方法，其制造权利要求1所述的半导体装置(52)，

在该半导体装置的制造方法中，具有如下步骤，即：

(a)准备在表面之上载置有所述半导体元件(4)的所述散热件(3)的步骤；

(b)准备整体具有同一平面的加工前的所述绝缘片部(20～22)的步骤；以及

(c)执行传递模塑处理的步骤，该传递模塑处理为，利用所述模塑树脂而将除所述主体部处的所述金属层的背面以外的所述绝缘片部、所述散热件以及所述半导体元件封装，

所述步骤(a)包含如下步骤，即：

(a-1)执行使用了冲裁模具(10a、10b)的断裂加工处理，在所述散热件的背面的外周端部形成所述倒角部(9、29)的步骤，

所述步骤(c)包含如下步骤，即：

(c-1)执行弯曲部形成处理的步骤，该弯曲部形成处理为，通过针对加工前的所述绝缘片部使与所述倒角部相对应的区域弯曲，从而以使所述倒角部与所述弯曲部密接的方式，设置所述主体部及所述弯曲部。