[发明专利]DRAM中增加的刷新间隔和能量效率

权利要求书

1.一种设计存储器芯片的方法，所述方法包括：

确定易失性存储器阵列的部分的故障概率，所述部分包括多个存储器单元；

基于所确定的故障概率，确定所述易失性存储器阵列的改进的能量使用和存储器容量开销；以及

基于所述改进的存储器容量开销以及根据基于所述改进的能量使用的所述易失性存储器阵列的刷新间隔来确定包含在所述易失性存储器阵列中的备用存储器单元的数量。

2.如权利要求1所述的方法，其中确定所述易失性存储器阵列的改进的能量使用和存储器容量开销包括：基于为所述易失性存储器阵列计算的能量-容量开销乘积来确定所述易失性存储器阵列的刷新间隔。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述能量-容量开销乘积基于所述存储器阵列的所述部分中的存储器单元的数量。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述能量-容量开销乘积基于(1)所述易失性存储器阵列的所述部分不包括在所述易失性存储器阵列的建议刷新间隔下不能操作的存储器单元的概率，以及(2)所述易失性存储器阵列的所述刷新间隔。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述能量-容量开销乘积基于(1)以及(2)包括所述能量-容量开销乘积与(1)和(2)的乘积成反比。

6.如权利要求2所述的方法，其中确定所述易失性存储器阵列的刷新间隔包括：确定所述易失性存储器阵列的最大刷新间隔，所述最大刷新间隔基于为所述能量-容量开销乘积确定的最小值。

7.如权利要求2所述的方法，其中确定所述易失性存储器阵列的所述部分的故障概率基于如下至少之一：所述存储器阵列的所述部分中的单个存储器单元的故障概率；所述存储器阵列的所述部分的存储器单元的数量；以及所述易失性存储器阵列的刷新间隔。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述易失性存储器阵列的所述部分包括动态随机存取存储器单元。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述易失性存储器阵列的所述部分包括存储器单元行、存储器单元列和存储器单元块中的至少一个。

10.如权利要求1所述的方法，其中确定改进的能量使用包括确定所述易失性存储器阵列的减少的刷新能量。

11.如权利要求1所述的方法，其中确定所述易失性存储器阵列的改进的能量使用和存储器容量开销包括最小化为所述易失性存储器阵列计算的能量-容量开销乘积。

12.一种改进包括易失性存储器单元的存储器芯片的性能的方法，所述方法包括：

将所述存储器芯片的操作刷新间隔改变成增加的刷新间隔，所述增加的刷新间隔的持续时间比所述操作刷新间隔长；

将所述存储器芯片中包括在所述增加的刷新间隔下不能操作的至少一个存储器单元的易失性存储器单元组的数量量化；以及

基于所述存储器芯片中的可用备用存储器单元组的数量以及基于量化的数量来选择所述存储器芯片的特定刷新间隔；

其中选择所述存储器芯片的特定刷新间隔包括：当所述存储器芯片中的可用备用存储器单元组的数量等于或大于包括在所述增加的刷新间隔下不能操作的至少一个存储器单元的易失性存储器单元组的量化数量时，选择所述增加的刷新间隔。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述易失性存储器单元组包括存储器单元行、存储器单元列和存储器单元块中的至少一个。

14.如权利要求12所述的方法，其中选择所述存储器芯片的特定刷新间隔包括：当所述存储器芯片中的可用备用存储器单元组的数量小于包括在所述增加的刷新间隔下不能操作的至少一个存储器单元的易失性存储器单元组的量化数量时，选择操作刷新间隔。