[发明专利]NMOS结构中形成位错增强的应变的方法

说明书

说明了利用布置在源极结构/漏极结构中的位错形成应变沟道器件的方法。这些方法和结构可以包括在包括硅的器件的源极开口/漏极开口上形成薄硅锗材料，其中，在所述硅锗材料中形成多个位错。在所述薄硅锗材料上形成源极材料/漏极材料，其中，所述位错在器件的沟道区中引起拉伸应变。

背景技术

随着微电子技术向更高性能发展，诸如CMOS晶体管器件的高性能晶体管器件的集成变得日益重要。CMOS晶体管改进可以包括控制晶体管沟道的应变状态。在CMOS器件内，NMOS晶体管部分和PMOS晶体管部分会需要不同类型的沟道应变要求。例如，NMOS沟道在沟道区中会需要拉伸应变，而PMOS沟道在沟道区中会需要压缩应变。

附图说明

尽管说明书作出了结论，权利要求书特别指出并明确要求了特定实施例，但在结合附图阅读时，依据本发明的以下说明可以更易于确定这些实施例的优点，在附图中：

图1a-1e表示了根据多个实施例的结构的顶视图和横截面视图。

图2表示了根据实施例的结构的横截面视图。

图3表示了根据实施例的系统的横截面视图。

图4表示了根据实施例的系统的示意图。

具体实施方式

在以下的详细说明中参考了附图，附图示例性地显示了可以实践方法和结构的特定实施例。足够详细地说明了这些实施例，以使得本领域技术人员能够实践实施例。会理解，尽管不同，但多个实施例不一定是相互排斥的。例如，在不脱离实施例的精神和范围的情况下，本文结合一个实施例所述的特定特征、结构或特性可以在其他实施例中实施。另外，会理解，在不脱离实施例的精神和范围的情况下，可以修改单个元件在每一个公开的实施例内的位置或布置。以下的详细说明因此不应视为限制性意义的，实施例的范围仅由适当解释的所附权利要求书连同授予权利要求书的等效替代的全部范围来限定。在附图中，相似的编号可以在全部几个附图中指代相同或相似的功能。

说明了形成并利用微电子结构的方法及相关结构，例如包括应变的源极结构/漏极结构的器件结构。这些方法/结构可以包括在包括硅的器件的源极开口/漏极开口上形成薄硅锗材料，其中，在硅锗材料中形成多个位错，随后在薄硅锗材料上形成源极材料/漏极材料，其中，位错引起遍及源极材料/漏极材料的源极位错/漏极位错。本文的实施例实现了应变的沟道器件，其中，源极结构/漏极结构可以在器件的沟道区中引起拉伸应变。

图1a-1e示出了形成微电子结构的实施例的视图，例如NMOS应变硅晶体管结构。在实施例中，器件100可以包括衬底部分104(图1a，顶视图)。在实施例中，衬底104可以包括硅、非硅材料、单晶硅材料、多晶硅材料、压电材料、III-V族材料和/和其他机电衬底材料的至少一个。在实施例中，器件100可以包括平面晶体管、例如三栅和/或finFET晶体管的多栅晶体管和纳米线结构的一部分。

器件100可以进一步包括栅极结构102，其可以包括一部分晶体管栅极结构102，例如NMOS晶体管栅极结构。器件100可以进一步包括源极结构/漏极结构108。源极结构/漏极结构108可以包括硅鳍片结构，在实施例中，它们可以由电介质材料106彼此分隔开。在实施例中，电介质材料106可以包括STI(硅槽隔离)材料。电介质材料106可以在鳍片结构108与栅极电极102之间提供隔离。在实施例中，器件100的沟道部分可以布置在栅极结构102下。