[发明专利]选择性转移半导体元件的方法

权利要求书

1.一种选择性分离半导体元件的方法，包含下列步骤：

a.提供一基板具有第一表面及第二表面；

b.提供多个半导体外延叠层位于该第一表面上，其中任一该多个半导体外延叠层包含第一半导体外延叠层与第二半导体外延叠层，且该第二半导体外延叠层与该第一半导体外延叠层隔开，其中该第一半导体外延叠层与该基板之间的粘着力不同于该第二半导体外延叠层与该基板之间的粘着力；

c.自该基板选择性地分离该第一半导体外延叠层或该第二半导体外延叠层。

2.如权利要求1的选择性分离半导体元件的方法，其中该b步骤包含提供粘着结构以粘着该多个半导体外延叠层至该第一表面上。

3.如权利要求2的选择性分离半导体元件的方法，其中该c步骤包含施加一能量至该粘着结构，以降低该粘着结构的粘着力。

4.如权利要求3的选择性分离半导体元件的方法，该能量包含紫外光、激光光或加热。

5.如权利要求2的选择性分离半导体元件的方法，其中，该c步骤还包含移除该粘着结构。

6.如权利要求5的选择性分离半导体元件的方法，其中，移除该粘着结构包含使用蒸气蚀刻移除该粘着结构。

7.如权利要求6的选择性分离半导体元件的方法，其中使用蒸气蚀刻移除该粘着结构的方法包含使用氟化氢(HF)气体蚀刻该粘着结构。

8.如权利要求2的选择性分离半导体元件的方法，其中该粘着结构包含苯并环丁烯(benzocyclobutene；BCB)。

9.如权利要求2的选择性分离半导体元件的方法，其中该粘着结构包含粘结层以及牺牲层，其中该牺牲层对应形成于该第一半导体外延叠层上，且该牺牲层与该粘结层的材料相异。

10.如权利要求9的选择性分离半导体元件的方法，其中该粘结层形成于该牺牲层及该第一半导体外延叠层之间，且该牺牲层与该第一表面相接。

11.如权利要求9的选择性分离半导体元件的方法，其中该牺牲层形成于该粘结层及该第一半导体外延叠层之间，且该牺牲层与该第一半导体外延叠层相接。

12.如权利要求9的选择性分离半导体元件的方法，其中该牺牲层与该第一表面及该第一半导体外延叠层相接。

13.如权利要求9的选择性分离半导体元件的方法，其中该牺牲层包含金属或氧化物。

14.如权利要求9的选择性分离半导体元件的方法，其中该牺牲层的厚度不大于10μm且不小于

15.如权利要求2的选择性分离半导体元件的方法，还包含提供撷取元件与该第一半导体外延叠层粘结，通过该撷取元件将该第一半导体外延叠层与该基板分离。

16.如权利要求15的选择性分离半导体元件的方法，其中该撷取元件包含发泡胶带。

17.如权利要求15的选择性分离半导体元件的方法，其中在该第一半导体外延叠层与该撷取元件之间具有粘着介质。

18.如权利要求17的选择性分离半导体元件的方法，其中该撷取元件与该第二半导体外延叠层以一间隙隔开。

19.如权利要求17的选择性分离半导体元件的方法，其中该粘着介质包含导电材料。

20.如权利要求15的选择性分离半导体元件的方法，其中该撷取元件包含导电基板或印刷电路板。

21.如权利要求15的选择性分离半导体元件的方法，其中该撷取元件包含支撑结构及软性基板，该软性基板位于该支撑结构上。

22.如权利要求21的选择性分离半导体元件的方法，其中在该c步骤之后还包含分离该软性基板自该支撑结构。

23.如权利要求21的选择性分离半导体元件的方法，其中该软性基板包含聚酯树脂(polyester resin；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)或聚酰亚胺(polyimide；PI)。