[发明专利]发光元件的制造方法

说明书

一种发光元件的制造方法，包括提供第一基板(201)及位于第一基板(201)上的多个半导体叠层块(202,231‑235)，其中该第一基板(201)上包括分隔两相邻的半导体叠层块的分隔道且该分隔道具有一宽度小于10μm，多个半导体叠层块(202,231‑235)包括第一电性半导体层(202a)、位于第一电性半导体层(202a)上的发光层(202b)，位于发光层(202b)之上的第二电性半导体层(202c)，还包括实行第一分离步骤，分离第一半导体叠层块(232)与第一基板(201)，第一基板(201)留有第二半导体叠层块(231)；以及实行第二接合步骤，包括对位接合该第一半导体叠层块于该第二半导体叠层块之上。

技术领域

本发明涉及一种发光元件及其制造方法；特别涉及一种增加半导体叠层的利用的发光元件及其制造方法。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode；LED)具有耗能低、操作寿命长、防震、体积小、反应速度快以及输出的光波长稳定等特性，因此适用于各种照明用途。如图1所示，目前发光二极管芯片的制作包括，在基板101上形成发光叠层(图未示)，再形成切割道103v,103h而分割出多个发光二极管芯片102。然而目前多个发光二极管芯片102的分割大多以激光切割，而受限于激光光束的尺寸(beam size)以及切割时易形成副产物(byproduct)造成漏电情形，切割道103v,103h的宽度D在设计上均至少必须维持20μm以上。若可节省此切割道103v,103h之面积，大约可增加25％的发光叠层面积。

发明内容

本发明揭露一种发光元件的制造方法，包括：提供第一基板及多个半导体叠层块于上述第一基板上，其中该第一基板上包括分隔两相邻的半导体叠层块的分隔道且该分隔道具有一宽度小于10μm，各上述多个半导体叠层块包括第一电性半导体层、位于上述第一电性半导体层之上的发光层、以及位于上述发光层之上的第二电性半导体层；实行第一分离步骤，包括分离第一半导体叠层块与上述第一基板，且上述第一基板存留有第二半导体叠层块；以及实行第二接合步骤，包括对位接合该第一半导体叠层块于该第二半导体叠层块之上。

本发明揭露一种发光元件的制造方法，包括：提供第一基板及多个半导体叠层块与该第一基板上，各该多个半导体叠层块包括第一电性半导体层、位于该第一半导体层上的发光层，以及位于该发光层上的第二电性半导体层，其中该多个半导体叠层块包括一第一半导体叠层块及一第二半导体叠层块；实行第一分离步骤，包括分离该第一半导体叠层块与该第一基板，且该第一基板存留有该第二半导体叠层块；以及提供一第三基板；实行接合步骤以将该第一半导体叠层块或该第二半导体叠层块接合至该第三基板。

附图说明

图1所示为传统制作发光二极管芯片的基板。

图2A至2E所示为本发明的发光元件的制造方法所使用的分离方法的实施例。

图2F所示为本发明的发光元件的制造方法的第一实施例的中间步骤。

图3A至3F所示为本发明的发光元件的制造方法的第一实施例(并联情形)。

图4所示为本发明的发光元件的制造方法的第一实施例(并联情形)。

图5所示为本发明的发光元件的制造方法的第一实施例(串联情形)。

图6A至6B所示为本发明的发光元件的制造方法的第二实施例。

图6C至6D所示为本发明的发光元件的制造方法的第三实施例。

图7A至7G所示为本发明的发光元件的制造方法的第四实施例。

图7H至7K所示为本发明的发光元件的制造方法的第五实施例。

附图标记说明

101基板

102发光二极管芯片