[发明专利]氧化硅玻璃坩埚的基座装填方法有效

专利信息
申请号: 201380077574.2 申请日: 2013-06-29
公开(公告)号: CN105378157B 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 须藤俊明;佐藤忠广;北原贤;北原江梨子 申请(专利权)人: 胜高股份有限公司
主分类号: C30B15/10 分类号: C30B15/10;C30B29/06
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 代理人: 谢志为
地址: 日本东京都*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 单晶硅 方法
【权利要求书】:

1.一种氧化硅玻璃坩埚的基座装填方法,具备将成型体铺设在基座的内表面与氧化硅玻璃坩埚的外表面之间的工序,所述成型体具有基于可以支持所述氧化硅玻璃坩埚的所述基座的内面形状的三维数据和所述坩埚的三维数据而算出的、用于使所述基座的中心轴与所述坩埚的中心轴一致的形状,当铺设在所述基座的内表面与所述坩埚的外表面之间时所述基座的中心轴与所述坩埚的中心轴就会实质上一致。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述坩埚的中心轴是与所述坩埚的侧壁部的内表面大致平行并且通过开口部的中心的轴。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述成型体没有将所述基座的内表面或所述坩埚的外表面全都覆盖。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述成型体为耐热性材料。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:所述耐热性材料为碳。

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