[发明专利]单晶硅提拉用氧化硅玻璃坩埚及其制造方法

权利要求书

1.一种单晶硅提拉(pulling of silicon single crystal)用氧化硅玻璃坩埚(vitreous silica crucible)，具备上端开口并且沿铅垂方向(vertical direction)延伸的基本上圆柱形的直筒部(straight body portion)、弯曲的底部(bottom portion)、及连结所述直筒部和所述底部且曲率比所述底部大的角部(corner portion)，其特征在于：所述氧化硅玻璃坩埚在内侧具备透明层(transparent layer)并且在其外侧具备气泡层(bubble layer)，在所述透明层的内表面侧具备残留压缩应力的压缩应力层(compressive stress layer)、和以0.17MPa/mm以上、1.5MPa/mm以下的应力变化率(rate of change of stress)与所述压缩应力层邻接的残留拉伸应力的拉伸应力层(tensile stress layer)。

2.一种单晶硅提拉用氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：向氧化硅玻璃坩埚制造用旋转模具供给天然氧化硅粉，在所述氧化硅玻璃坩埚制造用旋转模具的内表面形成所述天然氧化硅粉的层的工序；将以拉曼测定法求出的满足下述式(1)的合成氧化硅粉堆积在所述天然氧化硅粉的层的内侧的工序；以及向所述天然氧化硅粉及所述合成氧化硅粉进行电弧放电的工序，

0.8≤R≤1.0…(1)

式(1)中，强度比R＝(I₁+I₂)/I₀

I₁＝拉曼位移492cm^-1区域(band)的峰强度

I₂＝拉曼位移606cm^-1区域的峰强度

I₀＝拉曼位移800cm^-1区域的峰强度。

3.如权利要求2所述的单晶硅提拉用氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：所述制造方法还包括：在所述电弧放电(arc discharge)后，向所述模具的内部导入冷却气体的工序。

4.如权利要求2至3中任一项所述的单晶硅提拉用氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：所述合成氧化硅粉(synthetic silica powder)的圆形度为0.73以上、1.0以下。

5.如权利要求2至3中任一项所述的单晶硅提拉用氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：所述合成氧化硅粉平均粒径为80μm以上、160μm以下，振实密度为1.35g/cm³以上、1.44g/cm³以下，以及比表面积为0.026m²/g以上、0.045m²/g以下。