[发明专利]陶瓷烧结体、用其构成的耐腐蚀性构件、过滤器和防光晕构件有效
| 申请号: | 201380076844.8 | 申请日: | 2013-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN105246860B | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
| 发明(设计)人: | 平野义宜;石川和洋;织田武广 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
| 主分类号: | C04B35/591 | 分类号: | C04B35/591;C04B35/584 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 张玉玲 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 陶瓷 烧结 构成 腐蚀性 构件 过滤器 光晕 | ||
1.一种陶瓷烧结体,其特征在于,相对于总质量含有氮化硅80质量%以上而构成,在表层中散布含有Fe和Si的化合物,当量圆直径为0.05μm以上且5μm以下的所述化合物每1mm2存在2.0×104个以上且2.0×105个以下,所述氮化硅的结晶的晶界相含有钙铝黄长石和硅酸钙中的至少任意一种。
2.根据权利要求1所述的陶瓷烧结体,其特征在于,在所述晶界相含有钙镁橄榄石和镁硅钙石中的至少任意一种。
3.根据权利要求2所述的陶瓷烧结体,其特征在于,所述钙镁橄榄石和所述镁硅钙石的各含量的合计,所述表层的一方比内部多。
4.根据权利要求2或3所述的陶瓷烧结体,其特征在于,在所述表层中,由X射线衍射法求得的衍射角34°~35°下的所述钙镁橄榄石和所述镁硅钙石的各自的峰值强度I1和I2的合计相对于衍射角27°~28°下的所述氮化硅的峰值强度I0的比率{(I1+I2)/I0×100}为4%以上。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷烧结体,其特征在于,在内部中不含金属硅。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷烧结体,其特征在于,所述陶瓷烧结体是多孔体,其气孔直径的累积分布曲线中的累积75体积%的气孔直径p75,相对于累积25体积%的气孔直径p25的比即p75/p25为1.1以上且1.5以下。
7.一种耐腐蚀性构件,其特征在于,使用权利要求1至权利要求6中任一项所述的陶瓷烧结体构成。
8.一种过滤器,其特征在于,使用权利要求1至权利要求6中任一项所述的陶瓷烧结体构成。
9.一种防光晕构件,其特征在于,使用权利要求1至权利要求6中任一项所述的陶瓷烧结体构成。
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