[发明专利]无母线背接触式太阳能电池及其太阳能模块和制造方法在审
申请号: | 201380075512.8 | 申请日: | 2013-02-14 |
公开(公告)号: | CN105122459A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 吉绍·黑恩;贝恩德·拉比;费利克斯·布克 | 申请(专利权)人: | 康斯坦茨大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/068 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 德国康*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 母线 接触 太阳能电池 及其 太阳能 模块 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种背接触式太阳能电池以及具有这种背接触式太阳能电池的太阳能模块。此外,本发明涉及一种制造背接触式太阳能电池的方法。
背景技术
太阳能电池是将光直接转换为电能的光伏元件。通过光的吸收在半导体基板中产生的载流子对在具有例如n型或p型的第一掺杂类型的发射极区和具有相反的掺杂类型的基极区之间的pn结处分离。这样产生并且分离的载流子对可以经由与发射极区接触的发射极金属触点和与基极区接触的基极金属触点提供到外部电流回路。
为了使例如由于遮蔽而导致的损耗最小化,研发了背接触式太阳能电池,其中,两种类型触点,即发射极金属触点和基极金属触点,布置在半导体基板的背面。例如,研发了背接触式太阳能电池,在其背面表面布置有两种类型的彼此交错的梳状的金属触点,这种背接触式太阳能电池也称为IBC背接触式太阳能电池(叉指背接触)。在图1和图2中,示出了这种背接触式太阳能电池的金属触点的模式的示例。
在图1中示出的背接触式太阳能电池101中,在半导体基板105的背面103,交替地彼此相邻地布置有线形的发射极金属触点107和基极金属触点109。发射极金属触点107从半导体基板105的上边缘区域线性地延伸到半导体基板105的下边缘区域,并且在上边缘区域处通过与发射极金属触点107垂直地延伸的母线111彼此电连接。以类似的方式,基极金属触点109从下边缘区域延伸到上边缘区域,并且在下边缘区域中通过另一个母线113彼此连接。
在图1中示出的双母线设计中,指状的发射极金属触点107和基极金属触点109的长度大约与半导体基板103的边长一样长。因为金属触点的长度二次方地贡献于太阳能电池的电接触的总电阻,因此在图1中示出的传统的背接触式太阳能电池中经常需要大的开销,以便在金属触点107、109内保证足够高的电导率。例如,可以通过镀敷直至10μm的铜,来提高沿着指状的金属触点107、109的电导率。然而,这种镀敷在制造太阳能电池时可能产生相当大的附加成本,并且特别地可能受到技术限制,例如该技术限制可能阻止156mm(6英寸)边长的太阳能电池采用相应的金属触点设计,如近年来对应于行业标准那样。
为了减小指状的金属触点107、109中的串联电阻损耗,例如研发了如在图2中示出的可选的金属触点设计。在这种设计中,在太阳能电池201的半导体基板205的背面203,彼此平行地构造两个发射极母线111以及两个基极母线213,并且长形的发射极金属触点207和长形的基极金属触点209垂直于这些发射极和基极母线211、213地从这些发射极和基极母线211、213伸出。由此,指状的金属触点207、209的有效长度被分为三份,从而对于这些金属触点207、209例如能够使用丝网印刷金属化或者几微米厚的气相沉积金属化。
然而,在此,背面203的母线211、213的面积可能相对大。这在具有背面发射极的太阳能电池中尤其可能导致大的电损耗,因为少数载流子也必须横向地经由基极母线213的区域扩散到发射极。这可能导致也称为“electricalshading”的电遮蔽。此外,由于设置了4个母线,因此可能需要例如以含银的丝网印刷金属化形式施加相对大量的金属,这可能使太阳能电池制造的成本增加。
例如在US2011/0126878A1中描述了不同的技术和设计,用于对背接触式太阳能电池设置金属触点,并且对其进行电路连接。此外,描述了背接触式太阳能电池,其虽然具有长形的指状的发射极和基极金属触点,但是其中,这些金属触点不通过与其垂直地延伸的母线彼此连接,因此这里将其称为无母线背接触式太阳能电池。
发明内容
需要进一步改进的能够技术上简单并且成本低廉地制造的无母线背接触式太阳能电池。此外,需要具有多个这种无母线背接触式太阳能电池的太阳能模块以及制造无母线背接触式太阳能电池的方法。
这种需要可以通过根据独立权利要求的无母线背接触式太阳能电池以及通过根据并置的权利要求的太阳能模块或制造方法来满足。在从属权利要求中以及在下面的描述中定义了有利实施方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的