[发明专利]印刷电路基板制造用剥离膜及印刷电路基板制造用剥离膜的制造方法在审
申请号: | 201380074647.2 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN105050780A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 深谷知巳;市川慎也 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | B28B1/30 | 分类号: | B28B1/30;B32B27/00;B32B27/16 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;唐瑞庭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 印刷 路基 制造 剥离 方法 | ||
1.一种印刷电路基板制造用剥离膜,其特征在于,其为印刷电路基板制造用剥离膜,
其具备:具有第1面和第2面的基材,和
在所述基材的所述第1面上设置的平滑化层,和
在所述平滑化层的与所述基材相反的面一侧设置的剥离剂层;
通过向含有活化能射线固化型化合物的平滑化层形成用组合物照射活化能射线并使其固化从而形成所述平滑化层,
所述剥离剂层的外表面的算术平均粗糙度Ra1为8nm以下,并且所述剥离剂层的所述外表面的最大突起高度Rp1为50nm以下。
2.根据权利要求1所述的印刷电路基板制造用剥离膜,其中所述第1面的算术平均粗糙度Ra2为10~200nm,并且所述第1面的最大突起高度Rp2为80~1000nm。
3.根据权利要求1或2所述的印刷电路基板制造用剥离膜,其中所述活化能射线固化型化合物为质量平均分子量在950以下的化合物。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的印刷电路基板制造用剥离膜,其中所述活化能射线固化型化合物为紫外线固化型化合物,所述活化能射线为紫外线。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的印刷电路基板制造用剥离膜,其中所述平滑化层的平均膜厚为0.2~10μm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的印刷电路基板制造用剥离膜,其中所述平滑化层具有与所述基材相反的面,所述平滑化层的与所述基材相反的所述面的算术平均粗糙度Ra4为8nm以下,并且所述平滑化层的与所述基材相反的所述面的最大突起高度Rp4为50nm以下。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的印刷电路基板制造用剥离膜,其中所述第2面的算术平均粗糙度Ra3为10~200nm,并且所述第2面的最大突起高度Rp3为80~1000nm。
8.一种印刷电路基板制造用剥离膜的制造方法,其特征在于,其为根据权利要求1至7中任一项所述的印刷电路基板制造用剥离膜的制造方法,
其具有:准备具有所述第1面和所述第2面的所述基材的基材准备工序,和
通过将含有所述活化能射线固化型化合物的所述平滑化层形成用组合物涂布于所述基材的所述第1面一侧而形成涂布层的涂布层形成工序,和
通过向所述涂布层照射所述活化能射线并使其固化形成所述平滑化层的平滑化层形成工序,和
在所述平滑化层的与所述基材相反的所述面一侧形成所述剥离剂层的剥离剂层形成工序;
所述剥离剂层的所述外表面的所述算术平均粗糙度Ra1为8nm以下,并且所述剥离剂层的所述外表面的所述最大突起高度Rp1为50nm以下。
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