[发明专利]静电电容型压力传感器及输入装置在审

专利信息
申请号: 201380074229.3 申请日: 2013-12-05
公开(公告)号: CN105008880A 公开(公告)日: 2015-10-28
发明(设计)人: 井上胜之;奥野敏明;古村由幸 申请(专利权)人: 欧姆龙株式会社
主分类号: G01L1/14 分类号: G01L1/14;G01L5/00;G06F3/044;H01L29/84
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 金相允;向勇
地址: 日本京都*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 静电 电容 压力传感器 输入 装置
【权利要求书】:

1.一种静电电容型压力传感器,其特征在于,具备:

固定电极,

电介质层,其形成于所述固定电极的上方,以及

导电性的膜片,其隔着空隙形成于所述电介质层的上方;

在所述电介质层的与所述膜片对置的对置区域,电介质层在以所述对置区域的中央为中心的圆周上的存在比率会根据与所述对置区域的中央相隔的距离而变化。

2.根据权利要求1所述的静电电容型压力传感器,其特征在于,

电介质层在所述对置区域的中央部与外周部的中间的存在比率小于电介质层在所述对置区域的中央部的存在比率。

3.根据权利要求2所述的静电电容型压力传感器,其特征在于,

电介质层在所述对置区域的外周部的存在比率大于电介质层在所述对置区域的中央部与外周部的中间的存在比率。

4.根据权利要求3所述的静电电容型压力传感器,其特征在于,

电介质层在所述对置区域的外周部的存在比率小于电介质层在所述对置区域的中央部的存在比率。

5.根据权利要求1所述的静电电容型压力传感器,其特征在于,

在所述电介质层的所述对置区域设置开口,

根据与所述对置区域的中央相隔的距离来使所述开口的比率变化,从而使电介质层的存在比率变化。

6.根据权利要求5所述的静电电容型压力传感器,其特征在于,

以所述对置区域的中央为中心,放射状地形成所述电介质层的开口。

7.根据权利要求1所述的静电电容型压力传感器,其特征在于,

在所述对置区域,根据与所述对置区域的中央相隔的距离来使所述电介质层的厚度变化,从而使电介质层的存在比率变化。

8.根据权利要求1所述的静电电容型压力传感器,其特征在于,

根据与所述对置区域的中央相隔的距离,将所述对置区域划分为多个区间,并在各区间将电介质层的存在比率设定为恒定。

9.一种输入装置,其特征在于,是将权利要求1所述的静电电容型压力传感器排列多个而成的。

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