[发明专利]自适应电荷平衡的MOSFET技术

权利要求书

1.一种用于自适应电荷补偿的装置，包括：

场板堆叠，包括：

多个场板绝缘体区；

多个场板区，其中，所述多个场板区被穿插在多个场板绝缘体区之间；以及

场环区，其中两个或多个场板区被耦接到所述场环区，以及选择所述多个场板绝缘体区中至少一个的厚度和所述多个场板区中至少一个与所述场环区之间的接触面积，以便当漏极电压比夹断电压大时所述多个场板区中的至少两个浮置到不同的电位；

栅极结构，包括被栅极绝缘体区包围的栅极区；

源极区；

漂移区；

体区，设置在所述栅极结构、所述源极区、所述漂移区和所述场环区之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述场环区包括多个部分，其中所述场环区的两个或多个部分各自耦接相应的场板区到所述体区的相邻的部分。

3.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述漂移区包括中度掺杂磷或砷的外延硅；

所述体区包括中度掺杂硼的硅；

所述源极区包括重掺杂磷或砷的硅；

所述栅极区包括重掺杂磷或砷的多晶硅；

所述多个场板区包括重掺杂硼的多晶硅；以及

所述场环区包括重掺杂硼的外延硅。

4.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述漂移区包括中度掺杂硼的外延硅；

所述体区包括中度掺杂磷或砷的硅；

所述源极区包括重掺杂硼的硅；

所述栅极区包括重掺杂硼的多晶硅；

所述多个场板区包括重掺杂磷或砷的多晶硅；以及

所述场环区包括重掺杂磷或砷的外延硅。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述场板堆叠的深度大于所述栅极结构的深度。

6.一种用于制备自适应电荷补偿MOSFET器件的方法，包括：

形成中度掺杂第一类型掺杂剂的半导体层于重掺杂所述第一类型掺杂剂的半导体层上；

形成多个场板堆叠沟槽于轻掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层中；

在中度掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层中沿所述场板堆叠沟槽的侧壁形成重掺杂第二类型掺杂剂的半导体区；

在所述场板堆叠沟槽中形成第一介电层，其中所述介电层包括底部和两个侧部；

在所述场板堆叠沟槽中的所述第一介电层上形成重掺杂所述第二类型掺杂剂的第一半导体层，其中，所述第一半导体层的第一部分接触重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区的第一部分，以及所述第一半导体层的第一部分设置于所述介电层的底部和两个侧部中；

在所述场板堆叠沟槽中的重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述第一半导体层上形成第二介电层；

在所述场板堆叠沟槽中的所述第二介电层上形成重掺杂所述第二类型掺杂剂的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的部分接触重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区的第二部分；

在轻掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层中形成多个栅极沟槽；

在所述栅极沟槽中形成介电层；

在所述栅极沟槽中的所述介电层上形成重掺杂所述第一类型掺杂剂的半导体层；

在中度掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层中、重掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层的对面、以及所述栅极沟槽中的所述介电层与沿着所述场板堆叠沟槽的侧壁重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区之间形成中度掺杂所述第二类型掺杂剂的半导体区；以及

在中度掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区中、轻掺杂所述第一类型掺杂剂的所述半导体层的对面、邻近所述栅极沟槽中的所述介电层形成重掺杂所述第一类型掺杂剂的半导体区，然而通过中度掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区，将其和沿着所述场板堆叠沟槽的所述侧壁的重掺杂所述第二类型掺杂剂的所述半导体区分开。