[发明专利]致密氟聚合物薄膜

权利要求书

1.一种用于制造致密薄膜的方法，所述方法包括以下步骤或由以下步骤组成：

(a)提供固体组合物[组合物(C)]，该固体组合物包含以下各项或由以下各项组成：

-至少一种包含一个或多个羧酸官能端基的偏二氟乙烯(VDF)氟聚合物[聚合物(F)]，其中该聚合物(F)包含衍生自以下各项的重复单元：偏二氟乙烯(VDF)，至少一种包含一个或多个羧酸官能端基的氢化单体[单体(H)]，以及任选地，一种或多种不同于VDF的氟化单体，

-至少一种具有式(I)的聚(氧化烯)(PAO)：

HO-(CH₂CHR_AO)_n-R_B(I)

其中R_A是氢原子或C₁-C₅烷基，R_B是氢原子或-CH₃烷基并且n是包括在2000与40000之间的整数，其中该具有式(I)的PAO具有包括在100000与1800000之间的平均分子量，以及

-任选地，至少一种无机填充剂[填充剂(I)]；

其中该组合物(C)包含相对于组合物(C)总体积按体积计20％至95％的所述至少一种聚合物(F)以及按体积计5％至80％的所述至少一种具有式(I)的PAO，并且

(b)在熔融相中处理所述组合物(C)，由此提供具有从5μm至30μm的厚度和相对于所述薄膜的总体积小于5体积％的孔隙率的致密薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该具有式(I)的PAO是符合式(I-A)的聚(氧化乙烯)(PEO)：

HO-(CH₂CH₂O)_n-CH₃(I-A)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中该单体(H)是具有式(II)的(甲基)丙烯酸单体[单体(MA)]：

其中：

-R₁、R₂和R₃，彼此相同或不同，独立地选自氢原子和C₁-C₃烃基，并且

-R_x是氢原子或包含至少一个羧酸官能端基的C₁-C₅烃基。

4.根据权利要求3所述的方法，其中该单体(MA)是丙烯酸(AA)。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中该具有式(I)的PAO具有包括在500000与1500000之间的平均分子量。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中n是包括在4000与35000之间的整数。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中n是包括在11500与30000之间的整数。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中该组合物(C)包含

-相对于该组合物(C)的总体积，按体积计从45％至90％的至少一种聚合物(F)，以及

-相对于该组合物(C)的总体积，按体积计从10％至55％的至少一种具有式(I)的PAO。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤(b)中，该组合物(C)使用熔融加工技术在熔融相中进行处理。

10.一种通过根据权利要求1至9中任一项所述的方法可获得的致密薄膜，其具有相对于所述薄膜的总体积小于5体积％的孔隙率。