[发明专利]用于制备具有通过径向扩张降低的应变的异质结构的方法和装置有效
| 申请号： | 201380073264.3 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105144341B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | R·J·法尔斯特;V·V·沃龙科夫;J·A·皮特尼;P·D·阿尔布雷克特 | 申请（专利权）人： | 太阳能爱迪生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/687;H01L21/463;H01L21/322;H01L21/302;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制备 具有 通过 径向 扩张 降低 应变 结构 方法 装置 | ||
1.一种用于弛豫在异质结构中应变的方法，所述异质结构包括衬底、在所述衬底上设置的表面层以及在所述衬底与所述表面层之间的界面，所述衬底包括中心轴、垂直于所述中心轴的背表面以及跨所述衬底穿过所述中心轴延伸的直径，所述方法包括：
在所述衬底中形成位错源层；以及
径向扩张所述衬底以产生位错并且从所述位错源层将所述位错朝向所述表面层滑动。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述位错滑动到衬底-表面层界面并且在所述界面处形成失配界面位错。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述结构的所述直径为150mm或更多。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述结构的所述直径为200mm或更多。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述结构的所述直径300mm或更多。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述结构的所述直径为450mm或更多。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述衬底由下列的材料组成：硅、碳化硅、蓝宝石、锗、硅锗、氮化镓、氮化铝、砷化镓、铟镓砷或及其任何组合。
8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述表面层由下列材料组成：硅、碳化硅、蓝宝石、锗、硅锗、氮化镓、氮化铝、砷化镓、铟镓砷或及其任何组合。
9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述表面层由硅锗组成。
10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述衬底由硅组成。
11.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述衬底由硅组成。
12.根据权利要求1或2所述的方法，其中，通过从包括半导体材料的锭切片所述衬底来形成所述位错源层。
13.根据权利要求1或2所述的方法，其中，通过研磨所述衬底的所述背表面来形成所述位错源层。
14.根据权利要求1或2所述的方法，其中，通过喷砂所述衬底的所述背表面来形成所述位错源层。
15.根据权利要求1或2所述的方法，其中，通过将离子注入到所述衬底中穿过所述衬底的所述背表面来形成所述位错源层。
16.根据权利要求1或2所述的方法，其中，将所述衬底加热到至少550℃同时径向扩张所述异质结构。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，将所述衬底加热到至少650℃同时径向扩张所述异质结构。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，将所述衬底加热到至少700℃同时径向扩张所述异质结构。
19.根据权利要求1或2所述的方法，其中，从550℃到1000℃加热所述衬底同时径向扩张所述异质结构。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，从650℃到1000℃加热所述衬底同时径向扩张所述异质结构。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，从700℃到1000℃加热所述衬底同时径向扩张所述异质结构。
22.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述径向扩张期间，将应力施加到所述异质结构，所述应力为至少5MPa。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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