[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201380072766.4 | 申请日： | 2013-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN104981896A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 平林康弘;大西徹;西胁克彦;斋藤顺 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种纵型的半导体装置的制造方法，包括：
表面侧处理工序，对依次层压有表面侧半导体层、绝缘层和背面侧半导体层的绝缘体上硅基板的所述表面侧半导体层的表面实施从表面实施的处理；
蚀刻工序，从所述表面侧处理工序后的绝缘体上硅基板的背面进行蚀刻，而将形成有作为半导体装置而发挥作用的半导体结构的有源区域的至少一部分中的所述背面侧半导体层和所述绝缘层去除，以使所述表面侧半导体层的背面露出；
背面侧处理工序，对所述蚀刻工序后的所述表面侧半导体层的背面实施从背面实施的处理。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中，
在所述表面侧处理工序和所述蚀刻工序之间，实施机械性地对所述绝缘体上硅基板的背面进行研磨而使所述背面侧半导体层薄板化的工序。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其中，
在所述蚀刻工序中，将所述有源区域中的所述背面侧半导体层和所述绝缘层去除而使所述表面侧半导体层的背面露出，并使所述有源区域以外的区域中的所述背面侧半导体层和所述绝缘层保留。
4.如权利要求3所述的制造方法，其中，
在所述背面侧处理工序中，将所保留的所述背面侧半导体层和所述绝缘层设为掩膜。
5.如权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其中，
使用在所述表面侧半导体层的背面附近导入有与所述表面侧半导体层相同的导电型的离子的绝缘体上硅基板。
6.一种纵型的半导体装置，其特征在于，具备：
有源区域，其形成有作为半导体装置而发挥作用的半导体结构；
外围耐压区域，其与所述有源区域相邻，
在所述外围耐压区域中，保留有依次层压有表面侧半导体层、绝缘层和背面侧半导体层的绝缘体上硅基板，
在所述有源区域中，所述绝缘层和所述背面侧半导体层被去除。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，
在所述有源区域的一部分中，所述绝缘层和所述背面侧半导体层被去除。
8.如权利要求6或7所述的半导体装置，其中，
在所述绝缘层和所述背面侧半导体层被去除了的范围内形成有集电极。
9.如权利要求6至8中任一项所述的半导体装置，其中，
在所述绝缘层和所述背面侧半导体层被去除了的范围内形成有集电区域。
10.如权利要求6至9中任一项所述的半导体装置，其中，
在所述绝缘层和所述背面侧半导体层被去除了的范围内形成有缓冲区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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