[发明专利]包含内插器结构的集成电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

两个或更多个有源部件；

承载所述两个或更多个有源部件的内插器结构，其中，所述部件中的至少一个被承载在所述内插器结构的顶表面上；和

至少一个金属帽，布置在所述内插器结构的所述顶表面上并且封装所述两个或更多个有源部件中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述内插器结构被配置为有源内插器，在所述有源内插器中，所述两个或更多个有源部件中的至少一个被实现为与所述内插器结构集成的有源部件，并由此被所述内插器承载。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路器件，其中，所述两个或更多个有源部件包含至少两种不同半导体技术的部件，并且，其中所述内插器结构被配置并且能够操作用于承载所述两个或更多个有源部件并且允许它们在极端温度条件下操作。

4.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中，所述极端温度条件范围在-65℃至150℃之间。

5.根据权利要求3或4所述的集成电路器件，其中，至少两种不同的技术的所述部件包含以下技术中的至少两种：Si芯片、SiGe芯片、SiC芯片、GaAs芯片和GaN芯片。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的集成电路器件，其中，所述内插器结构包含内插器基板和在所述基板中形成并且分别与所述两个或更多个有源部件的电连接电连接的分开式导电通路的设置。

7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，所述导电通路与所述两个或更多个有源部件的电连接包含线接合和倒装芯片电连接中的至少一个。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的集成电路器件，其中，所述内插器结构包含布置在所述内插器结构的至少底表面上的用于向所述内插器结构的导电通路提供布线连接的一个或多个重新分配层RDL。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的集成电路器件，其中，所述内插器结构包含具有在其中形成铜Cu导电通路的设置的硅Si基内插器基板。

10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中，以下参数中的至少一个被选择为使得所述内插器结构在极端温度条件范围下是机械稳定的，由此防止所述内插器结构和由此承载的所述有源部件的断裂和翘曲：所述Si基内插器基板的厚度、所述导电通路的直径、所述导电通路的间距和被所述导电通路覆盖的内插器结构的表面积的分数。

11.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中，所述内插器结构的机械稳定性允许承载直至约25×25mm的尺寸的所述有源部件。

12.根据权利要求10或11所述的集成电路器件，其中，所述导电通路被配置为向所述内插器结构提供匹配所述至少两种不同的技术的热膨胀系数CTE的CTE，由此使得所述两个或更多个有源部件能够在极端温度条件下操作。

13.根据权利要求1～12中的任一项所述的集成电路器件，其中，所述至少一个金属帽的横向尺寸、厚度和材料成分被配置并且能够操作用于增强所述内插器结构在各种热条件下的结构完整性和机械稳定性。

14.根据权利要求13所述的集成电路器件，其中，所述至少一个金属帽的所述材料成分与在所述内插器结构的基板中形成的导电通路的材料成分类似。

15.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中，为了减少由于所述有源部件与所述内插器结构之间的热膨胀系数差在不同的温度条件下可能出现的应力，用于布置由所述内插器结构承载的所述有源部件的接合材料被选择为具有足够的弹性程度。

16.根据权利要求1～15中的任一项所述的集成电路器件，其中，所述内插器衬底包含具有相对较高的导热性的材料，由此使得能够从安装在所述内插器结构上的所述有源部件散热。

17.根据权利要求16所述的集成电路器件，其中，在所述内插器结构的基板中制成的导电通路由具有相对较高的导热性的材料形成，由此进一步改善从安装在所述内插器结构上的所述有源部件的散热。