[发明专利]用于光伏器件或类似等的多晶硅厚膜及制备其的方法

权利要求书

1.一种涂层制品，包括：

镍纳米粒，被分散在基片上，位于含有镍的催化剂膜之上；和

硅膜，被形成在所述基片上，位于所述镍纳米粒之上并位于所述催化剂膜之上。

2.如权利要求1所述的涂层制品，其中，所述催化剂膜掺杂有磷。

3.如上述权利要求中任何一项所述的涂层制品，其中，所述基片为玻璃基片。

4.如权利要求1-2中任何一项所述的涂层制品，其中，所述基片含有云母。

5.如上述权利要求中任何一项所述的涂层制品，进一步包括：位于所述基片上的含有金属氧化物的介质层，所述含有金属氧化物的介质层位于所述基片和所述纳米粒之间。

6.一种在基片上制备含有硅的多晶膜的方法，所述方法包括：

在所述基片上沉积含有镍的催化剂层，并沉积纳米粒；

将所述催化剂层和所述纳米粒暴露至硅烷气；以及

在所述暴露至硅烷气的至少一部分时间期间将涂有所述催化剂层和所述纳米粒的所述基片热处理，在所述基片上生长含有硅的膜。

7.如权利要求6所述的方法，进一步包括：将涂有所述催化剂层和所述纳米粒的所述基片退火，来使所述含有硅的膜结晶，并形成含有多晶硅的膜。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述含有多晶硅的膜掺杂有磷。

9.如权利要求7-8中任何一项所述的方法，进一步包括：将所述含有多晶硅的膜从所述基片转移至涂有至少一个导电层的另一个基片上。

10.如权利要求7所述的方法，其中，所述含有多晶硅的膜掺杂有磷、砷、硼中的一个或多个。

11.如权利要求6-10中任何一项所述的方法，其中，所述热处理包括将涂有所述催化剂层和所述纳米粒的所述基片热循环。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述热循环包括：重复将温度提升至580-800摄氏度然后下降至明显较低的温度。

13.如权利要求6-12中的任何一项所述的方法，其中，所述纳米粒包含镍。

14.如权利要求6-13中的任何一项所述的方法，其中，所述催化剂膜含有镍和银。

15.如权利要求6-14中的任何一项所述的方法，其中，所述催化剂膜掺杂有磷。

16.如权利要求6-15中的任何一项所述的方法，其中，所述基片为玻璃基片。

17.如权利要求6-15中的任何一项所述的方法，其中，所述基片含有云母。

18.如权利要求6-17中的任何一项所述的方法，进一步包括：将含有金属氧化物的介质层沉积在所述基片上，所述含有金属氧化物的介质层位于所述基片和所述纳米粒之间。

19.如权利要求18所述的方法，其中，所述金属氧化物包括氧化锌。

20.如权利要求6-19中任何一项所述的方法，其中，所述含有镍的催化剂层通过无电极电镀被沉积。

21.一种在基片上制备含有硅的多晶膜的方法，所述方法包括：

在所述基片上沉积催化剂层，并沉积含有镍的纳米粒；

将所述催化剂层和所述纳米粒暴露至硅烷气；以及

在所述暴露至硅烷气的至少一部分时间期间将涂有所述催化剂层和所述纳米粒的所述基片热处理，在所述基片上生长含有硅的膜。