[发明专利]使用激光脉冲倍增器的半导体检验及计量系统在审
| 申请号: | 201380069941.4 | 申请日: | 2013-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN104919578A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
| 发明(设计)人: | 勇-霍·亚历克斯·庄;贾斯汀·典瓛·刘;J·约瑟夫·阿姆斯特朗;邓宇俊 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 激光 脉冲 倍增器 半导体 检验 计量 系统 | ||
1.一种脉冲倍增器,其包括:
分束器,其用于接收输入激光脉冲;及
一或多个镜,其形成包含所述分束器的环形腔;
其中所述分束器引导所述激光脉冲的能量的第一分数作为所述脉冲倍增器的输出,且将所述激光脉冲的所述能量的第二分数引导到所述环形腔中。
2.根据权利要求1所述的脉冲倍增器,其中所述分束器在所述脉冲已横越所述腔一次之后进一步引导所述脉冲的所述能量的大致或实质上所述第二分数离开所述腔,同时将那个脉冲的能量的大致或实质上所述第一分数引导回到所述腔中。
3.根据权利要求1所述的脉冲倍增器,其中所述第一分数为大致三分之一。
4.根据权利要求1所述的脉冲倍增器,其中所述第二分数为大致三分之二。
5.根据权利要求1所述的脉冲倍增器,其中选取所述第一分数及所述第二分数,使得从输入脉冲的规则重复流产生实质上相等能量输出脉冲。
6.根据权利要求1所述的脉冲倍增器,其中每当每一脉冲横越所述环形腔时就使所述脉冲大致或实质上重新聚焦。
7.根据权利要求1所述的脉冲倍增器,其中所述环形腔进一步包括棱镜。
8.根据权利要求1所述的脉冲倍增器,其中所述一或多个镜包括至少两个曲面镜。
9.根据权利要求8所述的脉冲倍增器,其中所述镜中的至少两者具有大致或实质上类似曲率半径。
10.根据权利要求1所述的脉冲倍增器,其中所述一或多个镜包括四个镜。
11.根据权利要求9所述的脉冲倍增器,其中所述环形腔包括赫里奥特池或怀特池。
12.根据权利要求1所述的脉冲倍增器,其中所述脉冲倍增器经进一步配置以通过将所述环形腔配置为具有等于相继激光脉冲之间的时间间隔的大致一半或一半的大致奇整数倍的光学路径长度而使激光脉冲的实质上规则重复流的重复速率加倍。
13.根据权利要求12所述的脉冲倍增器,其中所述环形腔的所述光学路径长度比相继激光脉冲之间的时间间隔的一半的奇整数倍的当量长或短大致等于激光脉冲的宽度的一半的量。
14.一种脉冲倍增器,其包括:
第一环形腔,其包含:
第一分束器;
一组一或多个镜;及
第二环形腔,其包含:
第二分束器;及
第二组一或多个镜;
其中所述第一分束器将每一输入激光脉冲的第一分数引导到所述第二分束器,且将每一输入激光脉冲的第二分数引导到所述第一环形腔中,且
其中所述第二分束器将入射于其上的每一脉冲的第三分数引导到所述脉冲倍增器的输出,且将入射于其上的每一脉冲的能量的第四分数引导到所述第二环形腔中。
15.根据权利要求14所述的脉冲倍增器,其中所述第一分束器在每一脉冲已横越所述第一环形腔一次之后进一步引导所述脉冲的所述能量的大致或实质上所述第二分数离开所述第一环形腔而到所述第二分束器,同时将那个脉冲的能量的大致或实质上所述第一分数引导回到所述第一环形腔中。
16.根据权利要求14所述的脉冲倍增器,其中所述第三分数大致或实质上等于所述第一分数。
17.根据权利要求14所述的脉冲倍增器,其中所述第四分数大致或实质上等于所述第二分数。
18.根据权利要求14所述的脉冲倍增器,其中所述第二环形腔的光学路径长度为所述第一环形腔的光学路径长度的一半的大致奇整数倍。
19.一种系统,其包括:
脉冲倍增器,其包含:
分束器,其用于接收输入激光脉冲;及
一组镜,其用于形成包含所述分束器的环形腔,
其中所述分束器引导所述激光脉冲的能量的第一分数作为所述脉冲倍增器的输出,且将所述激光脉冲的所述能量的第二分数引导到所述环形腔中。
20.根据权利要求19所述的系统,其中所述系统实施未图案化晶片检验系统、图案化晶片检验系统、掩模检验系统及计量系统中的一者。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380069941.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





