[发明专利]钌络合物及其制造方法以及含钌薄膜的制作方法有效

专利信息
申请号: 201380069822.9 申请日: 2013-12-06
公开(公告)号: CN104903337B 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 多田贤一;山本俊树;尾池浩幸;摩庭笃;千叶洋一;岩永宏平;河野和久 申请(专利权)人: 东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所
主分类号: C07F15/00 分类号: C07F15/00;C23C16/18;H01L21/316;H01L21/318
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 沈雪
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 络合物 及其 制造 方法 以及 薄膜 制作方法
【权利要求书】:

1.一种钌络合物,其由通式(1a)表示,

式中,R1a、R2a、R3a、R4a及R5a各自独立地表示氢原子或碳原子数1~6的烷基,但不包括R1a、R2a、R3a、R4a及R5a全部同时为甲基的情况,R6a、R7a各自独立地表示碳原子数1~6的烷基。

2.根据权利要求1所述的钌络合物,其中,R1a为碳原子数1~6的烷基,R2a、R3a、R4a及R5a为氢原子,R6a及R7a为甲基。

3.根据权利要求1或2所述的钌络合物,其中,R1a为甲基或乙基,R2a、R3a、R4a及R5a为氢原子,R6a及R7a为甲基。

4.一种钌络合物的制造方法,该方法包括:使通式(4)所示的阳离子性三(腈)络合物与通式(5)所示的烯酮衍生物在碱的存在下反应,制造通式(1)所示的钌络合物,

式中,R1、R2、R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1~6的烷基,R19表示碳原子数1~4的烷基,Z-表示抗衡阴离子,

式中,R20及R21各自独立地表示碳原子数1~6的烷基,

式中,R1、R2、R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1~6的烷基,R6及R7各自独立地表示碳原子数1~6的烷基。

5.根据权利要求4所述的钌络合物的制造方法,其中,R1为碳原子数1~6的烷基,R2、R3、R4及R5为氢原子,R6及R7为甲基。

6.根据权利要求4或5所述的钌络合物的制造方法,其中,R1为甲基或乙基,R2、R3、R4及R5为氢原子,R6及R7为甲基。

7.根据权利要求4或5所述的钌络合物的制造方法,其中,碱为碱金属碳酸盐或烷基胺。

8.一种阳离子性三(腈)络合物,其由通式(4b)表示,

式中,R1b表示碳原子数2~6的烷基,R19b表示碳原子数1~4的烷基,Zb-表示抗衡阴离子。

9.根据权利要求8所述的阳离子性三(腈)络合物,其中,R19b为甲基。

10.根据权利要求8或9的阳离子性三(腈)络合物,其中,R1b为乙基,R19b为甲基。

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