[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置和内窥镜

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该制造方法具有以下工序：

制作半导体元件芯片，该半导体元件芯片在表面具有半导体元件部、在背面具有经由贯通布线而与所述半导体元件部连接的接合端子；

制作布线板，该布线板呈宽度比所述半导体元件芯片窄的长方形，在第1主面上，隔着中央的挠性部而在两侧配设有第1端子和与所述第1端子连接的第2端子；

在平板状态的所述布线板的与所述第1主面的配设有所述第2端子的区域对置的第2主面的第2端子对置区域中，接合由热传导率为20Wm^-1K^-1以上的材料构成的导热块的第1接合面；

在所述平板状态的布线板的所述第1端子上接合所述半导体元件芯片的接合端子；

经由所述导热块传导被加热到焊接温度的加热工具所产生的热，在所述布线板的所述第2端子上焊接信号缆线的芯线；

以使所述导热块的与所述第1接合面对置的第2接合面与所述布线板的第2主面抵接的方式使所述布线板在所述挠性部处折曲，将所述布线板配置在所述半导体元件芯片的投影面内；以及

在由金属构成的框部件的内部收纳一体化的所述半导体元件芯片、所述布线板、所述导热块和所述信号缆线，并利用密封树脂进行密封。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

以使所述导热块的侧面与所述框部件抵接的方式将所述导热块收纳在所述框部件的内部。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在对所述芯线进行焊接的工序之前还具有如下工序：在所述布线板的与所述第1主面的配设有所述第1端子的区域对置的所述第2主面的第1端子对置区域中，接合由热传导率为20Wm^-1K^-1以上的材料构成的带状的散热部件的一部分。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体装置是所述半导体元件部为摄像部的摄像装置。

5.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：

半导体元件芯片，其在表面具有半导体元件部，在背面具有经由贯通布线而与所述半导体元件部连接的接合端子；

信号缆线，其具有与所述半导体元件部电连接的芯线；

布线板，其呈宽度比所述半导体元件芯片窄的长方形，在第1主面上，隔着中央的挠性部而在两侧配设有与所述接合端子接合的第1端子以及与所述第1端子连接并与所述信号缆线的所述芯线焊接的第2端子，该布线板在所述挠性部处被折曲而成为所述第1主面和第2主面平行的状态；

导热块，其被折曲后的所述布线板的所述第2主面夹持，由热传导率为20Wm^-1K^-1以上的材料构成；以及

由金属构成的框部件，其收纳所述半导体元件芯片、所述布线板、所述导热块和所述信号缆线，内部由密封树脂密封。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述导热块在与所述布线板抵接的第1接合面的与各个所述第2端子对置的位置处具有凸部。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述导热块的侧面与所述框部件抵接。

8.根据权利要求5～7中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置具有由热传导率为20Wm^-1K^-1以上的材料构成的带状的散热部件，该散热部件的一部分由所述导热块和所述布线板夹持，该散热部件的延伸设置部与所述框部件接合。

9.根据权利要求5～8中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置是所述半导体元件部为摄像部的摄像装置。

10.一种内窥镜，其特征在于，

该内窥镜在插入部的前端部具有权利要求9所述的半导体装置。