[发明专利]非水电解质电容器元件有效
申请号: | 201380069409.2 | 申请日: | 2013-11-11 |
公开(公告)号: | CN104904056B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 小名木伸晃;木村兴利;日比野荣子;龟崎久光;石原达己 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光;国立大学法人九州大学 |
主分类号: | H01M10/052 | 分类号: | H01M10/052;H01G11/62;H01G11/64;H01M10/0567;H01M10/0568;H01M10/0569 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 宋莉;肖靖泉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非水电解质电容器 卤素原子 正极 负极活性材料 正极活性材料 非水电解质 负极 电解质盐 非水溶剂 离子键合 阴离子 脱嵌 嵌入 | ||
1.非水电解质电容器元件,包括:
包含能够嵌入和脱嵌阴离子的正极活性材料的正极,
包含负极活性材料的负极,和
非水电解质,其包含非水溶剂、含卤素原子的电解质盐、和具有能够与含卤素原子的阴离子键合的部位的化合物,
其中所述非水电解质没有LiF,且所述含卤素原子的电解质盐为LiPF
其中所述具有能够与含卤素原子的阴离子键合的部位的化合物为选自由以下通式(1)表示的化合物和由以下通式(2)表示的化合物的至少一种:
其中R
其中R
其中所述具有能够与含卤素原子的阴离子键合的部位的化合物的量为相对于所述非水电解质的0.5质量%-5质量%。
2.根据权利要求1的非水电解质电容器元件,其中所述具有能够与含卤素原子的阴离子键合的部位的化合物为三(五氟苯基)硼烷、或者硼酸三(六氟异丙基酯)、或者其两者。
3.根据权利要求1或2的非水电解质电容器元件,其中所述具有能够与含卤素原子的阴离子键合的部位的化合物的量为相对于所述非水电解质的1质量%-5质量%。
4.根据权利要求1或2的非水电解质电容器元件,其中所述非水电解质电容器元件在充电和放电时的最大电压为4.5V-6.0V。
5.根据权利要求1或2的非水电解质电容器元件,其中所述负极活性材料为能够存储或释放金属锂、或锂离子、或者其两者的碳质材料。
6.根据权利要求1或2的非水电解质电容器元件,其中所述非水电解质中的所述非水溶剂包含碳酸二甲酯,和其中所述碳酸二甲酯的量为相对于所述非水溶剂的70质量%或更大。
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