[发明专利]III族氮化物外延基板以及其的制造方法

权利要求书

1.一种III族氮化物外延基板，其特征在于，具有：Si基板；与该Si基板连接的初期层；和形成于该初期层上、交替地层叠包含Al_αGa_1-αN(0.5<α≤1)的第1层以及包含Al_βGa_1-βN(0<β≤0.5)的第2层而成的超晶格层叠体，

所述第2层的Al组成比β越远离所述Si基板越逐渐增加。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物外延基板，其中，所述超晶格层叠体具有多个超晶格层，所述超晶格层是由所述第1层和Al组成比β固定的所述第2层交替层叠而成的，

对于所述第2层的Al组成比β，越远离所述Si基板的位置的超晶格层的β越大。

3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物外延基板，其中，距所述Si基板最近的所述第2层的Al组成比x与距所述Si基板最远的所述第2层的Al组成比y之差y-x为0.02以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的III族氮化物外延基板，其中，所述第1层为AlN。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的III族氮化物外延基板，其中，所述初期层包含AlN层和该AlN层上的Al_zGa_1-zN层(0<z<1)，该Al_zGa_1-zN层的Al组成比z大于距所述Si基板最远的所述第2层的Al组成比y。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的III族氮化物外延基板，其中，在所述超晶格层叠体上，还具有通过使至少包含AlGaN层以及GaN层这2层的III族氮化物层外延生长从而形成的主层叠体。

7.根据权利要求6所述的III族氮化物外延基板，其中，所述主层叠体形成后的翘曲量为以下的式(1)的值以下，

(x/6)²×50μm···(1)

其中，x设为所述Si基板的英制尺寸。

8.根据权利要求6所述的III族氮化物外延基板，其中，所述Si基板为6英寸，所述主层叠体形成后的翘曲量为50μm以下。

9.一种III族氮化物外延基板的制造方法，其特征在于，具有：

在Si基板上形成与该Si基板连接的初期层的第1工序，和

在该初期层上形成超晶格层叠体的第2工序，所述超晶格层叠体是由包含Al_αGa_1-αN(0.5<α≤1)的第1层和包含Al_βGa_1-βN(0<β≤0.5)的第2层交替层叠而成的，

在所述第2工序中，使所述第2层的Al组成比β越远离所述Si基板越逐渐增加。