[发明专利]用于单片岛型太阳能光伏电池和模块的系统和方法

权利要求书

1.一种单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其包括：

a.具有本底掺杂的半导体层，其包括接收阳光的正面和与所述接收阳光的正面相反的背面

b.安置在所述半导体层背面上的图案化的第一金属层(M1)

c.与所述半导体层背面附接的电绝缘连续背板支撑层

d.将所述半导体层在所述电绝缘连续背板支撑层上划分成多个太阳能电池半导体区的沟槽隔离图案

e.安置在所述电绝缘连续背板支撑层上的图案化的第二金属层(M2)

f.贯穿所述电绝缘连续背板支撑薄板形成的使所述图案化的第二级金属层的选定部分与所述图案化的第一级金属层的选定部分互连的多个导电介层插塞

g.所述图案化的第一级金属层、所述图案化的第二级金属层和所述多个导电介层插塞被设计以完成所述单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构的电金属化和互连。

2.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述半导体层的形状是完整正方形。

3.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述半导体层的形状是伪正方形。

4.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述半导体层的形状是长方形。

5.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述半导体层的形状是多边形。

6.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述半导体层是通过在单晶模板上的外延硅沉积形成的单晶硅层。

7.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述半导体层是通过在多晶硅模板上的外延硅沉积形成的多晶硅层。

8.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述半导体层是通过使用起始的直拉(CZ)单晶晶片形成的单晶硅层。

9.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述半导体层是通过使用起始的浮区(FZ)单晶晶片形成的单晶硅层。

10.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述半导体层是通过使用起始的多晶晶片形成的多晶硅层。

11.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述本底掺杂是n型掺杂以产生具有n型半导体吸收体和基极区的太阳能电池。

12.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述太阳能电池是背接触太阳能电池。

13.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述太阳能电池是指叉型背接触(IBC)太阳能电池。

14.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述电绝缘连续背板支撑层上的所述多个太阳能电池半导体区包括实质上正方形岛的N×N＝N2阵列，其中N是等于或大于2的整数。

15.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述电绝缘连续背板支撑层上的所述多个太阳能电池半导体区包括形状为实质上正方形和长方形岛之一或组合的岛的N×M阵列，其中N和M是整数而且乘积N×M是等于或大于2的整数。

16.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述电绝缘连续背板支撑层上的所述多个太阳能电池半导体区包括实质上三角形岛的阵列。

17.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述电绝缘连续背板支撑层上的所述多个太阳能电池半导体区包括实质上多边形岛的阵列。

18.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述太阳能电池产生以系数S按比例增加的电压和以所述相同系数S按比例减小的电流，其中S对应于以电串联连接的半导体区的数量。

19.如权利要求1所述的单片岛型(或单片瓦型)太阳能电池结构，其中所述图案化的第一级金属(M1)包括基极与发射极指状物的指叉型图案的多个岛而无太阳能电池母线。