[发明专利]用于抛光铜的CMP浆料组合物和使用其的抛光方法在审

专利信息
申请号: 201380069046.2 申请日: 2013-06-21
公开(公告)号: CN104884563A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 卢钟一;姜东宪;金泰完;郑正焕;崔渶楠;洪昌基 申请(专利权)人: 第一毛织株式会社
主分类号: C09K3/14 分类号: C09K3/14;H01L21/304
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 张英;宫传芝
地址: 韩国庆*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 抛光 cmp 浆料 组合 使用 方法
【权利要求书】:

1.一种用于抛光铜的CMP浆料组合物,包含:

抛光颗粒、氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂和去离子水,

其中,所述络合剂包含:选自草酸、苹果酸、丙二酸和甲酸中的至少一种有机酸;以及甘氨酸,其中,所述有机酸与甘氨酸的重量比在约1:13至约1:260的范围。

2.根据权利要求1所述的CMP浆料组合物,其中,所述络合剂以约0.1wt%至约15wt%的量存在于总重量的所述组合物中。

3.根据权利要求1所述的CMP浆料组合物,其中,所述有机酸与甘氨酸的重量比在约1:60至约1:200的范围。

4.根据权利要求1所述的CMP浆料组合物,进一步包含:

表面活性剂、聚合化合物、分散剂、pH调节剂或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的CMP浆料组合物,包含:

约0.01wt%至约20wt%的所述抛光颗粒;

约0.01wt%至约10wt%的所述氧化剂;

约0.1wt%至约15wt%的所述络合剂;

约0.001wt%至约10wt%的所述腐蚀抑制剂;以及

余量的去离子水。

6.根据权利要求1所述的CMP浆料组合物,其中,所述组合物具有:在抛光30秒后使用表面缺陷分析仪对12英寸的铜覆盖晶圆测量的约1200以下的表面缺陷;以及使用宏观颗粒分析仪(Accusizer)测量的约23000以下的LPC值。

7.一种抛光方法,包括:使用根据权利要求1至6中任一项所述的组合物来抛光铜线。

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