[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，更详细地，涉及一种能够利用通过3-掩模(3-mask)工序的导入来减少掩模数的工序的简化来提高生产收率的氮化物半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

最近，作为氮化物半导体发光器件，主要研究氮化镓(GaN)类氮化物半导体发光器件。这种GaN类氮化物半导体发光器件在其应用领域中，应用于蓝色和绿色发光二级管(LED)的发光器件、金属半导体场效应晶体管(MESFET，Metal-SemiconductorFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT，HighElectronMobilityTransistor)等高速开关和高功率组件。

为了提高氮化物半导体发光器件的光效率，在p-电极极板所处的区域的下部形成电流断开图案，同时形成透明导电图案，从而覆盖电流断开图案的前表面。此时，透明导电图案起到p-电极极板的电极的作用的同时，还起到使电流扩散的作用。

但是，要想制造具有上述结构的氮化物半导体发光器件，就需要4个掩模工序。此时，各个掩模工序需要曝光、显像、刻蚀等一系列的工序，因而掩模工序数的增加成为使生产成本增加的同时使生产收率下降的因素。

作为相关现有文献，有韩国登录专利10-0793337号(2008年01月11日公告)，并在上述文献中公开了氮化物类半导体发光器件及其制造方法。

发明内容

本发明要解决的技术问题

本发明的目的在于，提供确保优秀的光散射特性的同时能够通过3-掩模工序的导入来减少掩模工序数，从而减少生产成本，并提高生产收率的氮化物半导体发光器件及其制造方法。

技术方案

用于达成上述目的的本发明的实施例的氮化物半导体发光器件，其特征在于，包括：n型氮化物层；活性层，形成于上述n型氮化物层上；p型氮化物层，形成于上述活性层上；电流断开图案，形成于上述p型氮化物层上；透明导电图案，以覆盖上述p型氮化物层及电流断开图案的上侧的方式形成，且具有相向的两侧边缘呈对称结构的锥形(taper)截面；以及p-电极极板，配置在与上述电流断开图案相对应的位置，并以直接与上述透明导电图案相接触的方式形成。

用于达成上述目的的本发明的实施例的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，包括：步骤(a)，在基板上依次形成n型氮化物层、活性层及p型氮化物层之后，在上述p型氮化物层上形成电流断开图案；步骤(b)，在以覆盖上述p型氮化物层及电流断开图案的上侧的方式形成透明导电层之后，利用台面刻蚀掩模选择性地对上述透明导电层进行第一次图案化，来形成透明导电图案；步骤(c)，利用上述台面刻蚀掩模进行第二次图案化，并依次除去向上述基板的一侧边缘露出的p型氮化物层、活性层及n型氮化物层，从而使上述n型氮化物层的一部分露出；以及步骤(d)，在与上述电流断开图案相对应的位置形成直接与上述透明导电图案相接触的p-电极极板，在露出的上述n型氮化物层上形成n-电极极板。

有益效果

在本发明的氮化物半导体发光器件及其制造方法中，能够采用利用一个掩模的整批刻蚀，来对透明导电图案和配置于基板的一侧边缘的n型氮化物层的露出区域进行图案化，从而减少掩模数，以减少生产成本、提高生产收率。

并且，在本发明中，由于利用与感应耦合等离子体(ICP)类型的台面刻蚀相同的掩模来同时对透明导电图案进行图案化，因而不仅能够使透明导电图案与台面刻蚀图案之间的覆盖特性优秀，并且还因透明导电图案的面积的增加而使光效率提高。

附图说明

图1为表示本发明的实施例的氮化物半导体发光器件的剖视图。

图2为图1的A部分的放大图。

图3为表示本发明的实施例的氮化物半导体发光器件的制造方法的工序顺序图。

图4至图9为依次表示本发明的实施例的氮化物半导体发光器件的制造方法的多个工序剖视图。

图10为在台面刻蚀之后利用电子显微镜来拍摄透明导电图案的照片。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的优选实施例的氮化物半导体发光器件及其制造方法进行的详细说明如下。

图1为表示本发明的实施例的氮化物半导体发光器件的剖视图。