[发明专利]基板加工设备

权利要求书

1.一种基板加工设备，包括：

加工腔室，用于提供反应空间；

设置在所述加工腔室上方的腔室盖；以及

气体分配模块，用于通过使用等离子体来解离工艺气并将解离的工艺气分配到基板上，其中所述气体分配模块被设置在所述加工腔室中，

其中，所述气体分配模块包括：

下框架，具有多个电极插入部；

上框架，具有多个突起电极和多个工艺气分配孔，所述多个突起电极分别插入到所述多个电极插入部中以提供间隙空间，并且所述多个工艺气分配孔形成在所述多个突起电极中以将所述工艺气分配到所述基板上；

工艺气缓冲空间，设置在所述上框架与所述腔室盖之间，其中，所述工艺气缓冲空间与所述多个工艺气分配孔连通，并且所述多个工艺气分配孔穿过所述突起电极；

多个稀释气分配孔，穿过所述上框架并且与所述突起电极的外围对应；以及

绝缘板，所述绝缘板形成于所述下框架与所述上框架之间并具有多个电极贯穿部，其中穿过所述电极贯穿部的所述多个突起电极分别被插入到所述多个电极插入部中，

其中，在所述间隙空间或突起电极的下部外围产生所述等离子体，

其中，在所述基板和所述突起电极的每一个的下表面之间的间距与在所述基板和所述下框架的下表面之间的间距不同。

2.如权利要求1所述的基板加工设备，其中，所述上框架、所述绝缘板和所述下框架形成为一个模块；并且

设置在所述上框架的上表面上的多个稀释气共同供应部件与多个稀释气供应孔共同连通，与第二气体供应器的第二气体供应管连接并且包括多个稀释气细分孔、共同块和稀释气共同供应管，

其中，稀释气从所述第二气体供应器通过所述第二气体供应管供应到所述稀释气共同供应管，然后稀释气共同供应管通过共同块的连通孔将稀释气供应到所述多个稀释气供应孔，由此，通过所述多个稀释气供应孔和所述多个稀释气分配孔，所述稀释气被分配到所述突起电极两侧的外围。

3.如权利要求1所述的基板加工设备，其中，在所述突起电极与所述电极插入部之间的间距小于在所述突起电极的所述下表面与所述基板之间的间距。

4.如权利要求1所述的基板加工设备，其中，与所述间隙空间重叠的所述上框架设置有所述多个稀释气分配孔，所述多个稀释气分配孔将用于形成所述等离子体的稀释气分配到所述间隙空间。

5.如权利要求4所述的基板加工设备，其中，所述上框架电接地，并且，所述等离子体由通过所述多个稀释气分配孔分配到所述间隙空间的所述稀释气和提供到所述下框架的等离子体电力来形成。

6.如权利要求4所述的基板加工设备，其中，所述下框架电接地，并且，所述等离子体由通过所述多个稀释气分配孔分配到所述间隙空间的稀释气和提供到所述上框架的等离子体电力来形成。

7.如权利要求1所述的基板加工设备，其中，在所述基板和所述突起电极的每一个的所述下表面之间的所述间距大于在所述基板和所述下框架的所述下表面之间的所述间距。

8.如权利要求1至7中任一项所述的基板加工设备，其中，所述电极插入部的每一个具有圆形或多边形横截面，每个突起电极的横截面的形状与所述电极插入部的横截面的形状相同，每一个突起电极由所述电极插入部围绕。

9.如权利要求8所述的基板加工设备，其中，所述多个电极插入部被布置成点阵结构。

10.如权利要求8所述的基板加工设备，其中，所述多个电极插入部在“n”个列中的每一列中以固定间距布置，以奇数列和偶数列布置的所述多个电极插入部交错布置。