[发明专利]磁记录介质及其制造方法

说明书

本发明提供能以高吞吐量生产将磁各向异性大的L1₀型的有序合金用于磁记录层、具有高矫顽力的磁记录介质的、磁记录介质及其制造方法。通过在用于提高包含具有L1₀型结构的有序合金的磁记录层的结晶性的取向控制层的下层设置具有面心立方结构的金属基底层，从而即使在使该取向控制层薄膜化时也能够形成具有充分的矫顽力的磁记录层，能够使主要由氧化物构成的取向控制层薄膜化，因此能够提高吞吐量。

技术领域

本发明涉及搭载于各种磁记录装置的磁记录介质及其制造方法。

背景技术

作为实现磁记录的高密度化的技术，采用垂直磁记录方式。作为用于形成垂直磁记录介质的磁记录层的材料，例如使用颗粒磁性膜。

近年来，迫切需要缩小磁性膜中的磁性晶粒的粒径，更进一步提高垂直磁记录介质的记录密度。另一方面，磁性晶粒的粒径的缩小会降低被记录的磁化的热稳定性。因此，为了弥补由磁性晶粒的粒径的缩小导致的热稳定性的降低，需要使用磁晶各向异性(magnetocrystalline anisotropy)更高的材料来形成磁性膜中的磁性晶粒。

作为所需的具有高磁晶各向异性的材料，信息的保存稳定性优异且磁晶各向异性大的具有L1₀型结构的L1₀型FePt、L1₀型CoPt等受到关注。为了使该L1₀型FePt具有高磁各向异性，需要使L1₀型FePt膜的[001]轴相对于膜面垂直地取向。

另一方面，磁记录介质中，从强度、耐冲击性等的观点出发，使用铝、玻璃制的基板。在这种基板的表面上成膜具有L1₀型结构的L1₀型有序合金膜时，为了赋予高磁晶各向异性，需要使L1₀型有序合金的晶体(001)取向。因此，通常，在L1₀型有序合金膜的基底层上设置用于提高L1₀型有序合金的晶体取向的具有NaCl结构、CsCl结构的取向控制层。特别是具有NaCl结构的MgO膜对于L1₀型有序合金的晶格匹配性高，广泛用作取向控制层。

由迄今的实验结果可知，为了得到磁特性而使用MgO膜作为L1₀型FePt膜的基底层时，其膜厚需要为10～20nm。但是，由于MgO靶为绝缘物，因此需要利用RF溅射法进行成膜，此时的成膜速率非常低，为0.1nm/s左右。另外，即使在使用Mg靶在Ar气体与O₂气体的混合气氛中利用反应性溅射法进行成膜的情况下，其成膜速率最多也就是使用MgO靶的RF溅射法的2倍左右。

通常的磁记录介质的量产工艺中，从吞吐量的观点出发，理想的是，尽可能地缩短各层的成膜时间，并且使各层的成膜时间相等。在上述溅射速率下进行膜厚为10nm～20nm的MgO膜的成膜时，MgO膜的成膜需要较长时间，因此大大降低吞吐量。因此，希望进一步减薄用于得到期望的矫顽力的MgO膜的膜厚。

专利文献1中公开了如下的技术：通过设置钛酸锶、氧化铟锡、氮化钛等立方晶系的导电性化合物层作为MgO膜的基底层，从而成膜即使是3nm以下的薄膜也对于L1₀型有序合金表现出优异的取向控制性的MgO膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-174320号

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1公开的磁记录介质中，作为MgO膜的基底层的导电性化合物层利用DC溅射法而非成膜速率慢的RF溅射法而进行成膜，但是，此时成为一边导入氧气、氮气之类的反应性气体一边利用反应性溅射法进行成膜。