[发明专利]用于三态内容可寻址存储器(TCAM)的静态NAND单元

权利要求书

1.一种静态三态内容可寻址存储器TCAM，包括：

配置成基于搜索位与键位的比较来生成比较输出的键单元，其中响应于所述比较输出指示所述搜索位与所述键位之间的匹配，第一下拉晶体管导通并且第一上拉晶体管不导通，并且其中响应于所述比较输出指示所述搜索位与所述键位之间的失配，所述第一下拉晶体管不导通并且所述第一上拉晶体管导通；

配置成生成掩码输出的掩码单元，其中响应于所述掩码输出被断言，第二下拉晶体管导通并且第二上拉晶体管不导通，并且其中响应于所述掩码输出被解除断言，所述第二下拉晶体管不导通并且所述第二上拉晶体管导通，所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管并联连接在匹配线输出与第一供电电压端子之间，而所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管串联连接在第二供电电压端子与所述匹配线输出之间。

2.如权利要求1所述的TCAM，其特征在于，所述掩码单元是静态随机存取存储器(SRAM)位单元。

3.如权利要求1所述的TCAM，其特征在于，所述键单元包括静态随机存取存储器(SRAM)单元和XNOR逻辑，其中所述XNOR的输出被配置成生成所述比较输出。

4.如权利要求3所述的TCAM，其特征在于，所述XNOR逻辑的输出耦合到所述第一下拉晶体管和所述第一上拉晶体管。

5.如权利要求1所述的TCAM，其特征在于，还包括用于由所述键单元接收所述搜索位的搜索线输入。

6.如权利要求1所述的TCAM，其特征在于，还包括耦合到所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管的中间匹配线。

7.一种用于操作静态三态内容可寻址存储器(TCAM)的方法，所述方法包括：

操作键单元以基于搜索位与键位的比较来生成比较输出；

响应于所述比较输出指示所述搜索位与所述键位之间的匹配，使第一下拉晶体管导通并且使第一上拉晶体管不导通，并且其中响应于所述比较输出指示所述搜索位与所述键位之间的失配，使所述第一下拉晶体管不导通并且使所述第一上拉晶体管导通；

操作掩码单元以生成掩码输出；

响应于所述掩码输出被断言，使第二下拉晶体管导通并且使第二上拉晶体管不导通，并且其中响应于所述掩码输出被解除断言，使所述第二下拉晶体管不导通并且使所述第二上拉晶体管导通，

所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管并联连接在匹配线输出与第一供电电压端子之间，而所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管串联连接在第二供电电压端子与所述匹配线输出之间。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，设置所述匹配线输出，包括：

当所述键单元的比较输出指示匹配时，经由所述第一下拉晶体管将所述匹配线输出设置为低值；

当所述掩码单元的掩码输出被断言时，经由所述第二下拉晶体管将所述匹配线输出设置为低值；以及

当所述掩码单元的掩码输出被解除断言和所述键单元的比较输出指示失配时，经由所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管将所述匹配线输出设置为高值。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，当中间匹配线指示先前的搜索值比较是失配时所述键单元的所述比较输出或者所述掩码单元的所述掩码输出不影响所述匹配线输出。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述掩码单元是静态随机存取存储器(SRAM)位单元。

11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述键单元包括静态随机存取存储器(SRAM)单元和XNOR逻辑。