[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201380068498.9 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN104885252A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 金敏基;金彬;朴汉善 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年12月27日于韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0155597的优先权以及2013年12月19日于韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2013-0158972的优先权,在此通过参考将其公开内容并入本文。
背景技术
技术领域
本文的实施方式涉及到有机发光显示装置及其制造方法,更特别地,涉及到具有用于降低电压降的辅助电极的有机发光显示器。
现有技术的描述
有机发光显示装置作为自发光显示装置,不像液晶显示器一样需要单独的光源。与液晶显示器相比,有机发光显示装置功效更高且具有更佳的响应速度、视角和对比度,从而有希望成为下一代显示装置。
在采用顶发光型有机发光元件的有机发光显示装置中,自有机发光层发出的光向上发出经过透明或半透明的电极阴极。为了获得经过阴极的足够的透光率,需要将阴极形成得非常薄。因此,阴极由具有足够低厚度的透明导电材料诸如铟锡氧化物(ITO)或者镁银(MgAg)制成,使得阴极是透明的。但是,减小阴极厚度增加了表面电阻。增加的电阻反过来引起有机发光显示装置一些部分中的电压降(即IR降),导致整个屏幕不均匀发光。随着显示装置的尺寸增加,压降现象增强。在本说明书中,术语“电压降”或“IR降”是指其中有机发光元件的阳极和阴极之间的电位差降低的现象。
因此,对于具有用于减少电压降问题的改进结构的有机发光显示装置仍存在需求。
发明内容
因此,本文实施方式的一方面涉及到一种有机发光显示装置,具有用于降低显示装置中的电压降的辅助电极改进结构。
在一个实施方式中,有机发光显示装置至少包括第一像素区和第二像素区。分隔物设置在第一像素区和第二像素区之间。辅助电极设置在第一像素区和第二像素区之间且在分隔物上方。此外,第一导电元件设置在第一像素区、第二像素区和辅助电极上方,且第一导电元件电连接至辅助电极。
在一个实施方式中,有机发光显示装置至少包括第一像素区和第二像素区。辅助电极设置在第一像素区和第二像素区之间。补充导电层设置在辅助电极上。而且,分隔物设置在一部分辅助电极上方的第一像素区和第二像素区之间。而且,第一导电元件设置在第一像素区、第二像素和补充导电层上方。第一导电元件经由补充导电层电连接至辅助电极。
在一个实施方式中,有机发光显示装置至少包括第一像素区和第二像素区。辅助电极设置在第一像素区和第二像素区之间。导电分隔物设置在至少一部分辅助电极上。而且,第一导电元件设置在第一像素区、第二像素区和导电分隔物上方。第一导电元件与导电分隔物直接接触且经由导电分隔物电连接至辅助电极。
提供了一种有机发光显示装置的制造方法。有机发光显示装置包括至少具有第一像素区和与第一像素区相邻的第二像素区的多个像素区,第一像素区包括第一有机发光元件,第二像素区包括第二有机发光元件。在一个实施方式中,本方法包括在基板上方形成分隔物。本方法还包括在基板上方基本同时形成第一有机发光元件的第一阳极、第二有机发光元件的第二阳极以及第一像素区和第二像素区之间且在分隔物上方的辅助电极。有机发光层形成在第一阳极上方和第二阳极上方。第一导电元件形成在有机发光层和辅助电极上方,其中第一导电元件电连接至辅助电极。
在另一实施方式中,提供了一种有机发光显示装置的制造方法。有机发光显示装置包括至少具有第一像素区和与第一像素区相邻的第二像素区的多个像素区,第一像素区包括第一有机发光元件,第二像素区包括第二有机发光元件。本方法包括在基板上方基本同时形成第一有机发光元件的第一阳极、第二有机发光元件的第二阳极以及第一像素区和第二像素区之间的辅助电极。在辅助电极上方形成补充导电层和分隔物,其中,补充导电元件的一部分与辅助电极直接接触。将有机发光层形成在第一阳极上方和第二阳极上方。而且,将第一导电元件形成在有机发光层和补充导电层上方,其中第一导电元件经由补充导电层电连接至辅助电极。
本发明的附加特征将在下文的描述中列出,且部分地根据下文描述将是显而易见的,或者可通过实践本发明获知。
将理解,前文的大体描述和下文的具体描述是示例性和说明性的,意在对要求保护的本发明提供进一步解释。
附图简要说明
根据结合附图进行的下文具体描述,将更加清楚理解本发明的上述和其他方面、特征和其他优势。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择