[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及包括薄膜晶体管的显示设备

权利要求书

1.一种共面薄膜晶体管，其包括：

氧化物半导体层，其形成在基板上；

栅电极，其形成在所述氧化物半导体层上，所述氧化物半导体层的第一表面面对所述栅电极；

源电极和漏电极，其电连接至所述氧化物半导体层，所述源电极和所述漏电极中的至少一个的一部分覆盖所述氧化物半导体层的第二表面，所述第二表面在所述氧化物半导体层的侧面上；

多个缓冲层，其设置在所述基板与所述氧化物半导体层的第三表面之间，所述第三表面与所述第一表面相反，所述多个缓冲层包括第一缓冲层和邻近所述第一缓冲层的第二缓冲层，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层具有不同折射率，所述折射率限定用于光折射的临界角；以及

光屏蔽层，其设置在所述多个缓冲层内，所述光屏蔽层与所述氧化物半导体层的沟道区完全重叠。

2.一种薄膜晶体管，其包括：

氧化物半导体层，其形成在柔性基板上；

栅电极，其形成在所述氧化物半导体层上，所述氧化物半导体层的第一表面面对所述栅电极；

源电极和漏电极，其分别电连接至所述氧化物半导体层，所述氧化物半导体层、所述栅电极、所述源电极和所述漏电极以共面晶体管构造布置；以及

光阻挡元件，其被布置成使所述氧化物半导体层的第二表面免遭受外部光。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层的所述第二表面与所述氧化物半导体层的所述第一表面相反，所述光阻挡元件使所述氧化物半导体层的所述第二表面免遭受外部光。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，该薄膜晶体管进一步包括：

至少一个缓冲层，其设置在所述柔性基板与所述氧化物半导体层的所述第二表面之间；

其中，所述光阻挡元件是设置在所述至少一个缓冲层内的光屏蔽层。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层完全与所述氧化物半导体层重叠。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层完全与所述氧化物半导体层的沟道区重叠。

7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层与所述氧化物半导体层的所述第二表面之间的距离等于或小于3μm。

8.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层适合作为另一个栅电极。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层与所述氧化物半导体层的所述第二表面之间的距离在至之间。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极和适合作为所述另一个栅电极的所述光屏蔽层能够共同寻址。

11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极与适合作为所述另一个栅电极的所述光屏蔽层能够独立寻址。

12.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述光阻挡元件包括：

多个层，其包括第一层和邻近所述第一层的第二层，所述第一层和所述第二层具有不同折射率，所述折射率限定用于光折射的临界角，所述第一层和所述第二层使所述氧化物半导体层的所述第二表面免遭受外部光中的具有大于所述临界角的入射角的部分。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其中，所述第一层具有第一折射率，并且所述第二层具有低于所述第一折射率的第二折射率，所述第二层比所述第一层更接近所述氧化物半导体层。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中，所述多个层包括：

第三层，其具有低于所述第二折射率的第三折射率，所述第三层邻近所述第二层并且比所述第二层更接近所述氧化物半导体层。

15.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中，所述多个层包括：

第三层，其具有与所述第一折射率相同的第三折射率，所述第三层邻近所述第二层，并且比所述第二层更接近所述氧化物半导体层。

16.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层的所述第二表面是所述氧化物半导体层的侧面，所述光阻挡元件使所述氧化物半导体层的所述侧面免遭受外部光。