[发明专利]用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件

权利要求书

1.一种用于制造光电子半导体构件(100，200)的方法，所述方法具有如下步骤：

-提供载体(1)；

-提供导体结构(2)，所述导体结构通过导电材料形成并且具有多个穿口(3)；

-将所述导体结构(2)设置在所述载体(1)的上侧(4)上，其中所述上侧(4)在所述导体结构(2)的所述穿口(3)中露出；

-提供多个光电子半导体芯片(5)，其中每个光电子半导体芯片(5)至少在相应的所述半导体芯片的上侧(6)上包括层(7)；

-将多个所述光电子半导体芯片(5)在所述导体结构(2)的所述穿口(3)中设置在所述载体(1)的上侧(4)上；

-在每个光电子半导体芯片(5)的连接部位(9)和所述导体结构(2)之间形成电连接部(8)；

-通过模制体(11)对每个光电子半导体芯片(5)和所述电连接部(8)改型，其中所述模制体(11)至少局部地覆盖全部光电子半导体芯片的侧面(12)，并且其中所述模制体(11)在所述光电子半导体芯片(5)的背离所述载体(1)的上侧(4)上不突出于所述光电子半导体芯片；

-移除所述载体(1)；以及

-至少分割所述模制体(11)以产生光电子半导体构件(101，201)，其中每个光电子半导体构件(101，201)包括至少一个光电子半导体芯片(5)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光电子半导体芯片(5)突出于所述模制体(11)并且其中所述光电子半导体构件(100，200)的高度对应于所述光电子半导体芯片(5)的高度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在移除所述载体(1)之前将反射性的包封件(14)施加到所述模制体(11)的背离所述载体(1)的一侧上，其中反射性的所述包封件(14)在所述光电子半导体芯片(5)的背离所述载体(1)的上侧(4)上不突出于所述光电子半导体芯片。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中相应的所述电连接部(8)包括接触线(10)，所述接触线将所述光电子半导体芯片(5)的连接部位(9)与所述导体结构(2)连接。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述模制体(11)构成为是能透过辐射的。

6.根据权利要求1、4和5中的至少一项所述的方法，其中所述模制体(11)在所述光电子半导体芯片(5)的上侧(6)上与所述光电子半导体芯片(5)齐平。

7.根据权利要求3、4和5中的至少一项所述的方法，其中至少一个接触线(10)局部地设置在所述模制体(11)中并且局部地设置在反射性的所述包封件(14)中。

8.一种光电子半导体构件(100，200)，包括：

-光电子半导体芯片(5)，所述光电子半导体芯片在上侧(6)上包括层(7)；

-导体结构(2)，所述导体结构通过导电材料形成并且具有至少一个穿口(3)，所述光电子半导体芯片(5)设置在所述穿口中；

-接触线(10)，所述接触线将所述光电子半导体芯片(5)的连接部位(9)与所述导体结构(2)连接；

-模制体(11)，其中所述光电子半导体芯片的侧面(12)和所述接触线(10)由所述模制体(11)至少局部地覆盖；

-反射性的包封件(14)，反射性的所述包封件在伸出于所述模制体(11)的区域中对所述光电子半导体芯片(5)改型，其中

-所述光电子半导体芯片(5)突出于所述模制体(11)，和

-反射性的所述包封件(14)在所述光电子半导体芯片(5)的上侧(6)上不超出所述光电子半导体芯片。

9.根据权利要求8所述的光电子半导体构件(100，200)，其中所述光电子半导体芯片(5)的下侧(13)露出。

10.根据权利要求8或9所述的光电子半导体构件(100，200)，其中所述接触线(10)局部地设置在所述模制体(11)中并且局部地设置在反射性的所述包封件(14)中。

11.根据权利要求8至10中的至少一项所述的光电子半导体构件(100，200)，其中所述连接部位(9)设置在所述光电子半导体芯片(5)的上侧(6)上。