[发明专利]用于制造纳米光刻掩模的方法

权利要求书

1.用于由沉积在待蚀刻的表面(10)上的PS–b–PMMA嵌段共聚物膜(20)制造纳米光刻掩模的方法，所述共聚物膜包括垂直于待蚀刻的表面取向的PMMA纳米畴(21)，所述方法的特征在于它包括以下步骤：

-部分地照射(E1)所述共聚物膜，以在所述共聚物膜中形成照射区和未照射区，然后

-选择显影溶剂，所述显影溶剂选自具有包括在以下值范围之内的在25℃计算的汉森溶解度参数的溶剂或溶剂混合物：14.5≤δ_D≤19.00；4.90≤δ_P≤18.00和5.10≤δ_H≤15.26，进行这样的选择步骤以

-在预先选择的显影溶剂中处理(E2)所述共聚物膜，以选择性地除去所述嵌段共聚物膜的一个或多个纳米畴，所述纳米畴具有不同的化学组成、为照射的和/或未照射的，选择性地除去包括除去所述共聚物膜的所述照射区的至少所述PMMA纳米畴(21)。

2.根据权利要求1的方法，特征在于当待选择性地除去的纳米畴为照射区的PMMA的纳米畴时，所述显影溶剂选自包括选自以下的至少一种化合物的溶剂或溶剂混合物的组：醇。

3.根据权利要求2的方法，特征在于所述醇为甲醇、乙醇、异丙醇、丁-1-醇、辛-1-醇、(R,S)-辛-2-醇、4-甲基-2-戊醇、或2-乙基己醇。

4.根据权利要求1的方法，特征在于当处理步骤包括首先除去照射区的PMMA的纳米畴和其次选择性地和部分地除去所述共聚物膜的所述未照射区的所述PMMA纳米畴以形成孔时，其直径小于通过除去所述照射区的PMMA纳米畴所留下的孔的直径，且特征在于所述显影溶剂选自包括选自以下的至少一种化合物的溶剂或溶剂混合物的组：乙酸、乙腈或二甲亚砜。

5.根据权利要求1的方法，特征在于当处理步骤包括首先除去照射区的PMMA的纳米畴和其次除去所述共聚物膜的所述未照射区时，且特征在于所述显影溶剂选自包括选自以下的至少一种化合物的溶剂或溶剂混合物的组：酮；酰胺；内酯；或醇。

6.根据权利要求5的方法，特征在于所述酮为丙酮或戊-2-酮。

7.根据权利要求5的方法，特征在于所述酰胺为N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮或N,N-二甲基乙酰胺。

8.根据权利要求5的方法，特征在于所述内酯为γ-丁内酯。

9.根据权利要求5的方法，特征在于所述醇为苯甲醇。

10.根据权利要求1的方法，特征在于通过包括在300mJ.cm^–2和1000mJ.cm^–2之间的剂量下的UV辐射进行照射。

11.根据权利要求10的方法，特征在于在193nm的波长下进行通过UV辐射的照射。

12.根据权利要求1的方法，特征在于通过包括在200和1000μC.cm^–2之间的剂量下的电子束进行照射。

13.根据权利要求1的方法，特征在于通过包括在3和8kev之间的能量和包括在3·10¹²和2·10¹⁴cm^–2之间的剂量下的离子注入进行照射。

14.根据权利要求13的方法，特征在于当注入的离子为氢离子时，能量为3kev且剂量包括在1和2·10¹⁴cm^–2之间；和当注入的离子为氧离子时，能量为8kev且剂量包括在3·10¹²和2·10¹³cm^–2之间。