[发明专利]激光发射装置和主振荡器功率放大器系统在审

专利信息
申请号: 201380067151.2 申请日: 2013-10-23
公开(公告)号: CN104885315A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 藤田五郎;冈美智雄;吉田浩;前田史贞;植田充纪;田中健二 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01S5/14 分类号: H01S5/14
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 田喜庆;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 激光 发射 装置 振荡器 功率放大器 系统
【权利要求书】:

1.一种激光发射装置,包括:

半导体激光器;

光栅,相对于所述半导体激光器定位以在所述光栅和所述半导体激光器之间形成谐振器结构;以及

光学系统,定位在所述半导体激光和所述光栅之间,所述光学系统被配置和布置为使得共焦点形成在所述半导体激光器的发光表面和所述光栅的反射表面上。

2.根据权利要求1所述的激光发射装置,其中,所述光学系统包括圆柱形透镜。

3.根据权利要求2所述激光发射装置,其中,所述圆柱形透镜在所述透镜的至少一个表面上具有圆柱形表面,所述圆柱形表面具有第一表面,所述第一表面在第一方向上具有曲率但在正交于所述第一方向上的第二方向上不具有曲率。

4.根据权利要求3所述的激光发射装置,其中,所述圆柱形透镜的所述第一表面在所述第一方向上用作球面透镜并且在所述第二方向上用作平面透镜。

5.根据权利要求2所述的激光发射装置,其中,所述圆柱形透镜被配置为在第一方向上压缩从所述半导体激光器发射的光的光斑直径,并且在正交于所述第一方向的第二方向上基本维持从所述半导体激光器发射的光的所述光斑直径。

6.根据权利要求1所述的激光发射装置,其中,所述半导体激光器是包括形成在p型半导体熔覆层和n型半导体熔覆层之间的有源层的激光二极管。

7.根据权利要求6所述的激光发射装置,其中,所述半导体激光器包括发光侧和与所述发光侧相对的后侧,所述后侧的至少一部分包括反射涂层。

8.根据权利要求7所述的激光发射装置,其中,所述半导体激光器的所述发光侧的至少一部分包括抗反射涂层。

9.根据权利要求1所述的激光发射装置,进一步包括设置在所述半导体激光器和所述光学系统之间的准直透镜,所述准直透镜被配置为将从所述半导体激光器发射的光转换成基本上平行的光。

10.根据权利要求1所述的激光发射装置,其中,所述光学系统包括中继透镜。

11.根据权利要求10所述的激光发射装置,其中,所述中继透镜包括多个球面透镜。

12.根据权利要求11所述的激光发射装置,其中,所述球面透镜被配置成使得仅一个所述透镜在与从所述半导体激光器发射的光的光轴垂直的任意方向上的横向移动改变所述中继透镜和所述光栅之间的光轴相对于所发射的光的光轴的倾斜角度。

13.根据权利要求11所述的激光发射装置,其中,所述半导体激光器发射脉冲激光,并且其中,所述球面透镜被配置成使得沿着从所述半导体激光器发射的光的光轴的移动改变所述脉冲激光的色散特性。

14.根据权利要求1所述的激光发射装置,其中,所述光学系统包括圆柱形透镜、以及包括多个球面透镜的中继透镜。

15.根据权利要求1所述的激光发射装置,其中,所述光学系统包括球面透镜和圆柱形透镜。

16.根据权利要求15所述的激光发射装置,其中,所述球面透镜和所述圆柱形透镜被配置和布置为使得所发射的光的共焦点位于所述光学系统与所述光栅的所述反射表面之间。

17.权利要求15所述的激光发射装置,其中,所述球面透镜定位在所述圆柱形透镜与所述光栅之间。

18.权利要求15所述的激光发射装置,其中,所述圆柱形透镜定位在所述球面透镜与所述光栅之间。

19.一种主振荡器功率放大器系统,包括:

激光发射装置,包括

半导体激光器,

光栅,相对于所述半导体激光器定位以在所述光栅和所述半导体激光器之间形成谐振器结构,以及

光学系统,定位在所述半导体激光器和所述光栅之间,所述光学系统被配置和布置成使得共焦点形成在所述半导体激光器的发光表面和所述光栅的反射表面上;以及

半导体光学放大器。

20.根据权利要求19所述的主振荡器功率放大器系统,进一步包括光学地定位在所述激光发射装置的所述光栅和所述半导体光学放大器之间的隔离器和反射镜。

21.根据权利要求20所述的主振荡器功率放大器系统,其中,所述光学系统包括第一圆柱形透镜。

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