[发明专利]高分辨率像素体系结构无效

专利信息
申请号: 201380066769.7 申请日: 2013-12-20
公开(公告)号: CN104871337A 公开(公告)日: 2015-08-26
发明(设计)人: G·查吉;V·古普塔;A·内森 申请(专利权)人: 伊格尼斯创新公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;G09G3/32;H01L27/32;H01L51/50;H05B37/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 曹瑾
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要:
搜索关键词: 高分辨率 像素 体系结构
【权利要求书】:

1.一种像素结构,所述像素结构包括:

大致透明衬底,

形成在所述衬底上的驱动晶体管,

形成在所述衬底的与所述驱动晶体管相对一侧上的有机发光器件,

设置在所述发光器件与所述驱动晶体管之间并且具有面向所述发光器件的反射表面的反射层,所述反射层形成相对于所述驱动晶体管偏移的开孔,所述开孔用于使所述发光器件发射的光穿过直至所述衬底。

2.根据权利要求1所述的像素结构,其中,所述反射层的至少一部分在形状上为凹状,以将来自所述发光器件的反射光引回至所述发光器件上。

3.一种像素结构,所述像素结构包括:

衬底;

处于所述衬底上的具有第一开孔的第一光致抗蚀剂层;

具有第二开孔的反射层,所述反射层覆盖所述第一光致抗蚀剂层;

处于所述第二开孔中并且处于所述反射层上的第二光致抗蚀剂层;以及

形成在所述第二光致抗蚀剂层上的有机发光器件,

其中,所述第二开孔与所述第一开孔交叠,并且所述反射层的至少一部分在形状上为凹状。

4.根据权利要求3所述的像素结构,所述像素结构还包括

处于所述衬底与所述第一光致抗蚀剂层之间的驱动晶体管,

其中,所述驱动晶体管控制所述有机发光器件的亮度。

5.根据权利要求3所述的像素结构,其中,所述反射层包括铝。

6.根据权利要求3所述的像素结构,其中,所述有机发光器件包括:

处于所述第二光致抗蚀剂层上的阳极层;

处于所述阳极层上的有机电致发光层;以及

处于所述有机电致发光层上的阴极层。

7.根据权利要求6所述的像素结构,所述像素结构还包括处于所述阴极层上的公共电极层。

8.根据权利要求3所述的像素结构,其中,所述反射层具有面向所述有机发光器件的反射表面,并且将来自所述有机发光器件的光引向所述第二开孔。

9.一种形成像素结构的方法,所述方法包括:

设置衬底;

形成处于所述衬底上的具有第一开孔的第一光致抗蚀剂层;

形成具有第二开孔的反射层,所述反射层覆盖所述第一光致抗蚀剂层;

形成处于所述第二开孔中并且处于所述反射层上的第二光致抗蚀剂层;以及

在所述第二光致抗蚀剂层上形成有机发光器件,

其中,所述第二开孔与所述第一开孔交叠,并且

其中,所述反射层的至少一部分在形状上为凹状。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述形成第一光致抗蚀剂层的步骤包括:

在所述衬底上淀积第一光致抗蚀剂层;

在所述第一光致抗蚀剂层上形成第一掩模层;

在所述第一掩模层上淀积第三光致抗蚀剂层;

在所述第三光致抗蚀剂层上形成第二掩模层;

向所述第二掩模层施加紫外线辐射,由此分开所述第三光致抗蚀剂层;

去除所述第二掩模层;

利用所述第三光致抗蚀剂层蚀刻第一掩模层,由此分开所述第一掩模层;

去除第三光致抗蚀剂层;

利用第一掩模层蚀刻第一光致抗蚀剂层,由此形成第一开孔;以及

去除所述第一掩模层。

11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述形成反射层的步骤包括:

在所述第一光致抗蚀剂层和衬底上淀积反射层;

在所述反射层上淀积第三光致抗蚀剂层;

向所述第三光致抗蚀剂层施加紫外线辐射;

显影第三光致抗蚀剂层;

利用所述第三光致抗蚀剂层蚀刻反射层,由此形成第二开孔;以及

去除第三光致抗蚀剂层。

12.根据权利要求9所述的方法,所述方法还包括:

在所述衬底上形成驱动晶体管,其中,所述驱动晶体管控制所述有机发光器件的亮度。

13.根据权利要求9所述的方法,其中,所述反射层具有面向所述有机发光器件的反射表面,并且将来自所述有机发光器件的光引向所述第二开孔。

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