[发明专利]在嵌入式固化区中固化热可固化材料有效
申请号: | 201380066399.7 | 申请日: | 2013-12-17 |
公开(公告)号: | CN104937703B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 耶罗·范·德·布兰德;阿肖克·斯里德哈;安雅·亨肯斯;贡特尔·德烈森 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用自然科学研究组织TNO;德国汉高公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 严芬;宋志强 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固化区 嵌入式 热传导 辐射区 可固化材料 基底 固化 电磁辐射 导热 发散 传导 照射 延伸 吸收 | ||
本公开涉及一种用于在嵌入式固化区(2)中固化热可固化材料(1)的方法、及由此方法产生的组件。此方法包括提供被部分地布置在组件(9)与基底(10)之间的热传导条(3),在组件(9)与基底(10)之间形成有嵌入式固化区(2)。热传导条(3)从嵌入式固化区(2)延伸至可获得辐射区(7),可获得辐射区(7)与嵌入式固化区(2)保持距离且至少部分地无部件(9)和基底(10)。此方法进一步包括借助电磁辐射(6)在可获得辐射区(7)中照射热传导条(3)。通过在热传导条(3)中吸收电磁辐射(6)所产生的热(4a)沿热传导条(3)的长度从可获得辐射区(7)传导至嵌入式固化区(2),以通过从热传导条(3)发散至嵌入式固化区(2)中的传导热(4b)来固化热可固化材料(1)。
技术领域
本公开涉及一种用于在嵌入式固化区中固化热可固化材料的方法。本公开进一步涉及一种用于使用固化系统的方法。本公开进一步涉及一种包括基底和粘附至该基底的部件的组件,该部件借助在部件与基底之间的嵌入式固化区中形成的热可固化材料粘附至基底。
背景技术
热可固化材料通常通过对该材料加热,例如高于固化温度和/或在固化时段期间被固化。固化通常涉及例如归因于分子交联的转变,如材料的硬化。固化区为目标区或体积,热可固化材料被定位在其中以被固化,从而执行其功能,例如将表面粘附在一起。在“嵌入式固化区”中的术语“嵌入式”可以指固化区的至少部分封装,例如固化区被掩埋在包括如包围固化区的部件和/或基底的阻隔物的组件内。
嵌入式固化区可能一般难以接受外部的加热源,如灯或激光器。例如在US2003/0162463或WO2006/126015中描述的一种解决方案可以提供辐射透明的基底并经由此基底照射固化区。然而,这仅适于当嵌入式固化区可获得电磁辐射时。例如在JP2003218281中描述的另一种解决方案可通过在固化区旁掩埋电阻丝并选择性地施加电流至电阻丝以加热该电阻丝来提供内部加热源。JP2008-085287描述了与连接件相邻的加热电路。然而,这可能需要额外的电路,和/或电流可能对邻近的电子部件有害。JP2001-044241描述了施加热和/或电磁波至具有粘合层的IC芯片,同时按压芯片至形成于基底上的电路。然而,加热IC芯片可能对其功能有害。一种用于在一般情况下于嵌入式固化区处提供所预期的固化温度的解决方案可以例如通过在烘箱中烘烤组件来加热整个组件。然而,这种不加区别的加热可能是能量低效的和/或对可能为组件之部分的热敏性部件有害。
需要一种在嵌入式固化区中固化热可固化材料的更通用方法。
发明内容
在第一方面中,提供一种用于在嵌入式固化区中固化热可固化材料的方法。此方法包括提供被部分地布置在阻隔物之间的热传导条,在所述阻隔物之间形成有所述嵌入式固化区。所述热传导条从所述嵌入式固化区延伸至可获得辐射区,所述可获得辐射区与所述嵌入式固化区保持距离且至少部分地无所述阻隔物。此方法进一步包括借助电磁辐射在所述可获得辐射区中照射所述热传导条。通过在所述热传导条中吸收所述电磁辐射所产生的热沿所述热传导条的长度从所述可获得辐射区传导至所述嵌入式固化区,以通过从所述热传导条发散至所述嵌入式固化区中的传导热来固化所述热可固化材料。
即使在固化区不可获得直接照射时,在嵌入式固化区与可获得辐射区之间延伸的热传导条可允许通过电磁辐射对固化区加热。因为热通过电磁辐射的吸收而产生,此方法不需要在可能敏感的电路附近施加电流。通过使用热传导条来将热传导至固化区而不照射芯片本身,例如根据JP2001-044241,可防止芯片的过度加热。电磁辐射可针对在可获得辐射区的条,这可能比加热整个组件更有效。因此,提供一种固化嵌入式固化区中的热可固化材料的方法,这是更通用的,例如提供能量效率同时可适合不同的情况,如封装固化区和/或敏感性电路的不透明表面。将进一步理解,热传导条的提供可并入现有的设计和/或制造流程中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造