[发明专利]背靠背堆叠集成电路组合件以及制作方法

权利要求书

1.一种集成电路组合件，其包括：

第一衬底，其具有第一表面和第二表面，

第一有源层，其形成于所述第一衬底的所述第一表面上，所述第一有源层包括第一金属接合垫；

第二衬底，其具有第一表面和第二表面，所述第一衬底的所述第二表面耦接到所述第二衬底的所述第二表面，以及

第二有源层，其形成于所述第二衬底的所述第一表面上，所述第二有源层包括第二金属接合垫，其中所述第一衬底在结构上支撑所述第二衬底，并且所述第二衬底比所述第一衬底更薄。

2.如权利要求1所述的组合件，其中所述第二衬底的厚度小于30微米。

3.如权利要求1所述的组合件，其中所述第二衬底的厚度小于10微米。

4.如权利要求1所述的组合件，其中所述第一有源层或所述第二有源层包括无源装置。

5.如权利要求1所述的组合件，其还包括：

印刷电路板，所述印刷电路板电连接到所述第一有源层和所述第二有源层。

6.如权利要求5所述的组合件，其中所述印刷电路板用焊料凸块电连接到所述第一有源层。

7.如权利要求5所述的组合件，其中所述印刷电路板通过引线接合电连接到所述第二有源层。

8.如权利要求1所述的组合件，其还包括绝缘层，所述绝缘层插入所述第一衬底的所述第二表面与所述第二衬底的所述第二表面之间。

9.如权利要求1所述的组合件，其中所述第二衬底是绝缘的。

10.一种形成集成电路组合件的方法，所述方法包括：

提供第一衬底，其具有第一表面和第二表面；

在所述第一衬底的所述第一表面上形成第一有源层；

提供第二衬底，其具有第一表面和第二表面，其中所述第二衬底包括形成于所述第二衬底的所述第一表面上的第二有源层；

将所述第二衬底的所述第二表面接触接合到所述第一衬底的所述第二表面以形成接合衬底组件,没有穿过所述第一衬底和所述第二衬底的垂直电连接，并且不预先单一化所述第一衬底和所述第二衬底为个别芯片；以及

在接触接合所述第二衬底的所述第二表面到所述第一衬底的所述第二表面之后，单一化所述接合衬底组件为个别芯片。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述提供第二衬底的步骤包括：

提供绝缘体上半导体，其包括插入第二有源层与把手层之间的绝缘层，以及

移除所述把手层的至少一部分。

12.如权利要求11所述的方法，其中完全移除所述把手层。

13.如权利要求11所述的方法，其还包括：

在所述移除所述把手层的至少一部分的步骤之前，将临时载体接合到所述绝缘体上半导体的所述第二有源层；以及

在所述将所述第二衬底的所述第二表面接触接合到所述第一衬底的所述第二表面的步骤之后，移除所述临时载体。

14.如权利要求10所述的方法，其还包括在所述第一有源层上形成金属接合垫。

15.如权利要求10所述的方法，其还包括在所述第二有源层上形成金属接合垫。

16.如权利要求10所述的方法，其还包括在将所述第二衬底的所述第二表面接触接合到所述第一衬底的所述第二表面之前，使所述第一衬底变薄。

17.如权利要求10所述的方法，其中所述第一衬底为半导体晶片。