[发明专利]用于存储器的整形码

说明书

技术领域

本发明一般来说涉及半导体存储器设备及方法，且更特定来说涉及用于存储器的整形码。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在包含易失性及非易失性存储器的许多不同类型的存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据(例如，用户数据、错误数据等)且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)以及其它。非易失性存储器可通过在未供电时保持所存储数据而提供永久数据且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁阻式随机存取存储器(MRAM)以及其它。

存储器作为易失性及非易失性数据存储器用于宽广范围的电子应用。非易失性存储器(例如，NAND快闪存储器、NOR快闪存储器等)可用于例如膝上型计算机、固态驱动器(SSD)、便携式存储器条、数字相机、蜂窝式电话、便携式音乐播放器(例如MP3播放器、电影播放器)的便携式电子装置及其它电子装置中。存储器单元可布置成阵列，其中阵列被用于存储器装置中。

一些存储器单元基于其经受的编程及/或擦除循环的数量而展现磨损。也就是说，存储器单元性能可随着重复使用而降级。例如，降级可导致例如降低的数据保持的问题。

附图说明

图1是根据本发明的若干个实施例的呈包含经配置以实施用于存储器的整形码的至少一个存储器系统的计算系统形式的设备的框图。

图2是包括可根据本发明的若干个实施例操作的存储器单元阵列的存储器的一部分的示意图。

图3图解说明与根据本发明的若干个实施例编程存储器单元相关联的图式。

图4图解说明根据本发明的若干个实施例的所接收数字样式与整形数字样式之间的映射。

图5A是图解说明与根据现有技术经编程的存储器单元相关联的所存储数字样式的比例的图式。

图5B是图解说明与根据图4中所展示的映射经编程的存储器单元相关联的所存储数字样式的比例的图式。

图6A是根据本发明的若干个实施例的与用于存储器的整形码相关联的设备的一部分的框图。

图6B是根据本发明的若干个实施例的与用于存储器的整形码相关联的设备的一部分的框图。

具体实施方式

一种实例性设备包括：存储器单元阵列；及整形组件，其耦合到所述阵列且经配置以根据所接收数字样式到整形数字样式的映射来编码若干个所接收数字样式中的每一者。所接收数字样式到整形数字样式的所述映射遵守整形约束，所述整形约束将经允许具有特定数字值的所述整形数字样式的连续数字的量限制为最高量。

本发明的若干个实施例可包含可使经编程数据状态朝向对应于较低阈值电压电平的那些数据状态偏斜(与现有方法相比此可提供经改进的数据保持以及其它益处)的编码过程。经改进的数据保持可(例如)增加存储器装置的有用寿命以及其它益处。

在本发明的以下实施方式中，参考形成本发明的一部分的随附图式，且在随附图式中以图解说明的方式展示可如何实践本发明的一或多个实施例。充分详细地描述这些实施例以使得所属领域的技术人员能够实践本发明的实施例，且将理解，可在不背离本发明的范围的情况下利用其它实施例且可做出过程、电及/或结构改变。如本文中所使用，标志符“M”及“N”(特定来说关于图式中的参考编号)指示可包含如此标记的若干个特定特征。如本文中所使用，“若干个”特定事物可是指一或多个此类事物(例如，若干个存储器装置可是指一或多个存储器装置)。

本文中的图遵循编号惯例，其中第一数字或前几个数字对应于图式图编号且剩余数字识别图式中的元件或组件。不同图之间的类似元件或组件可通过使用类似数字来识别。举例来说，在图1中110可指代元件“10”，且在图2中类似元件可指代为210。如将了解，可添加、交换及/或消除本文中的各种实施例中所展示的元件以便提供本发明的若干个额外实施例。另外，如将了解，图中所提供的元件的比例及相对比例尺打算图解说明本发明的特定实施例，且不应视为限制意义。