[发明专利]具有静电放电(ESD)兼容的驱动水平限幅器的晶体振荡器

权利要求书

1.一种用于晶体振荡器的方法，包括以下步骤：

在包括片上主支路、片上漏极支路、片上栅极支路和串联连接的二极管-电阻支路的所述晶体振荡器中，通过经由二极管-电阻支路对施加至所述晶体振荡器的漏极焊盘的电压进行箝位，来对所述晶体振荡器中的晶体驱动水平进行限幅，其中所述片上主支路包括至少一个晶体管元件，所述片上漏极支路将所述晶体管元件的漏极端子连接至所述漏极焊盘，所述片上栅极支路将所述片上主支路连接至栅极焊盘，所述串联连接的二极管-电阻支路连接至所述片上漏极支路，所述二极管-电阻支路包括至少一个二极管和至少一个电阻元件，其中所述至少一个二极管具有直接连接到所述漏极支路的节点。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括以下步骤：从片外漏极节点施加所述电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个二极管和所述至少一个电阻元件在所述二极管-电阻支路中串联连接。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括以下步骤：经由所述二极管-电阻支路的所述至少一个电阻元件来对流经所述至少一个二极管的电流进行限幅。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，还包括以下步骤：在静电放电事件即ESD事件期间对流经所述至少一个二极管的电流进行限幅。

6.一种用于晶体振荡器的方法，包括以下步骤：

在包括片上电路的所述晶体振荡器中，通过经由所述片上电路中包括的串联连接的二极管-电阻支路对施加至晶体振荡器的漏极焊盘的电压进行箝位，来对所述晶体振荡器中的晶体驱动水平进行限幅，

其中，所述片上电路还包括：片上主支路，所述片上主支路包括至少一个晶体管元件；片上漏极支路，所述片上漏极支路将所述晶体管元件的漏极端子连接至所述漏极焊盘；片上栅极支路，所述片上栅极支路位于所述片上主支路和栅极焊盘之间，

其中，所述串联连接的二极管-电阻支路连接至所述漏极支路并且包括至少一个二极管和至少一个电阻元件。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述晶体振荡器还包括：片外漏极节点，所述片外漏极节点经由所述漏极焊盘连接至所述片上电路；以及片外栅极节点，所述片外栅极节点经由所述栅极焊盘连接至所述片上电路，以及

其中，从所述片外漏极节点施加所述电压。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述二极管-电阻的组合包括串联连接的二极管和电阻元件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，还包括以下步骤：经由所述电阻元件来对流经所述二极管的电流进行限幅。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，还包括以下步骤：在静电放电事件即ESD事件期间对流经所述二极管的电流进行限幅。

11.一种晶体振荡器，包括：

片外漏极节点，其经由漏极焊盘连接至片上电路；

片外栅极节点，其经由栅极焊盘连接至所述片上电路，

其中，所述片上电路包括：

主支路，其包括至少一个晶体管元件；

漏极支路，其位于所述主支路和所述漏极焊盘之间；

栅极支路，其位于所述主支路和所述栅极焊盘之间；以及

串联连接的二极管-电阻支路，其连接至所述漏极支路，所述二极管-电阻支路包括至少一个二极管和至少一个电阻元件，其中所述至少一个二极管具有直接连接到所述漏极支路的节点。

12.根据权利要求11所述的晶体振荡器，其中，所述二极管-电阻支路被配置为通过对施加至所述晶体振荡器的所述漏极焊盘的电压进行箝位来对所述晶体振荡器中的晶体驱动水平进行限幅。

13.根据权利要求12所述的晶体振荡器，其中，所述电压是从所述片外漏极节点所施加的。