[发明专利]用于柔性电子件的改进的银基导电层

权利要求书

1.一种用于制造涂覆制品的方法，所述方法包括：

提供基底，其中所述基底包括透明且柔性材料；

遍于所述基底之上形成第一层，其中所述第一层包括第一透明导电氧化材料；

遍于所述第一层之上形成第二层，其中所述第二层包括银与掺杂元素的二元合金，其中所述掺杂元素具有比银更高的氧化物生成焓；

遍于所述第二层之上形成第三层，其中所述第三层包括第二透明导电氧化材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂元素包括Ti、Cr、Mn、Zn、Ni、Sn、Ta、Pt、Bi或Sb中的一个。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂元素包括Pd。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一或第二透明导电氧化物包括铟锡氧化物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二透明导电氧化物包括铟锡氧化物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂元素的浓度在0.1wt％和10wt％之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂元素的浓度在0.25wt％和5wt％之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述银掺杂或银合金层的厚度在1.5nm到20nm之间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述银掺杂或银合金层的厚度在5nm到12nm之间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述银掺杂或银合金层的厚度在5nm到9nm之间。

11.一种用于制造涂覆制品的方法，所述方法包括：

提供基底，其中所述基底包括透明且柔性材料；

遍于所述基底之上形成第一层，其中所述第一层包括铟锡氧化物；

遍于所述第一层之上形成第二层，其中所述第二层包括银和掺杂元素的二元合金，其中所述掺杂元素包括Ti、Cr、Mn、Zn、Ni、Sn、Ta、Pt、Bi或Sb中的一个；

遍于所述第二层之上形成第三层，其中所述第三层包括铟锡氧化物。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述掺杂元素的浓度在0.25wt％和5wt％之间。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述银掺杂或银合金层的厚度在5nm到9nm之间。

14.一种涂覆制品，包括：

基底，其中所述基底包括透明且柔性材料；

遍于所述基底之上形成的第一层，其中所述第一层包括第一透明导电氧化材料；

遍于所述第一层之上形成的第二层，其中所述第二层包括银和掺杂元素的二元合金，其中所述掺杂元素包括Ti、Cr、Mn、Zn、Ni、Sn、Ta、Pt、Bi或Sb中的一个；

遍于所述第二层之上形成的第三层，其中所述第三层包括第二透明导电氧化材料。

15.根据权利要求14所述的涂覆制品，其中所述第一或第二透明导电氧化物包括铟锡氧化物。

16.根据权利要求14所述的涂覆制品，其中所述第一和第二透明导电氧化物包括铟锡氧化物。

17.根据权利要求14所述的涂覆制品，其中所述掺杂元素的浓度在0.1wt％和10wt％之间。

18.根据权利要求14所述的涂覆制品，其中所述掺杂元素的浓度在0.25wt％和5wt％之间。

19.根据权利要求14所述的涂覆制品，其中所述银掺杂或银合金层的厚度在1.5nm到20nm之间。

20.根据权利要求14所述的涂覆制品，其中所述银掺杂或银合金层的厚度在5nm到9nm之间。